• 发文章

  • 发资料

  • 发帖

  • 提问

  • 发视频

创作活动
0
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
返回

电子发烧友 电子发烧友

  • 全文搜索
    • 全文搜索
    • 标题搜索
  • 全部时间
    • 全部时间
    • 1小时内
    • 1天内
    • 1周内
    • 1个月内
  • 默认排序
    • 默认排序
    • 按时间排序
  • 全部板块
    • 全部板块
  • RF功率器件的性能

    为满足晶体管用户的需求,有源器件的功率密度持续增长。商用无线通讯、航空电子、广播、工业以及医疗系统应用推动固态功率封装随着更小输出级器件输出更高输出功率的要求而发展。对飞思卡尔半导体公司而言,为这些应用提供高性能射频以及微波晶体管并不是一个大挑战,该公司的产品在特性、封装以及应用工程方面具有明显优势。飞思卡尔半导体在生产及销售分立和集成射频半导体器件方面具有雄厚实力。该公司采用HV7工艺的第七代硅RF外侧扩散金属氧化物半导体(LDMOS),在3.8GHz范围内具有满足WiMAX基础设施的输出功率和线性性能。飞思卡尔面向工业、科学以及医疗(ISM)应用的高电压HV7工艺支持48V工作电压,该公司还将其大功率GaAs PHEMT器件的工作频率扩展到6GHz,可用于WiMAX放大器。最近,飞思卡尔半导体宣布推出第一款具有100W输出功率的两级射频集成电路(RF IC)。当由该公司高性价比的MMG3005N通用放大器(GPA)驱动时,MWE6IC9100N和MW7IC181 00N RF IC构成了工作在900和1,800MHz的无线基站100W功率放大器完整解决方案。虽然这些分立以及集成RF功率器件的性能非常优异,但将这些器件交至客户手中仅仅是开始。事实上,每次交付使用都将由飞思卡尔的技术人员提供各种测试、建模、封装以及应用支持。

    2019-07-09 08:17