SiO₂薄膜的厚度量测原理主要基于光的干涉现象。具体来说，当单色光垂直照射到SiO₂薄膜表面时，光波会在薄膜表面以及薄膜与基底的界面处发生反射。这两束反射光在返回的过程中会发生干涉，即相互叠加，产生
2024-09-27 10:13
SiO₂薄膜在集成电路中扮演着至关重要的角色，其作用主要包括以下几个方面： 绝缘层 ：SiO₂薄膜作为良好的绝缘材料，被广泛应用于集成电路中作为绝缘层。它能够有效地隔离金属互连线和晶体管等器件，防止
2024-09-27 10:19
SiO₂膜层镀膜过程中出现的膜裂问题，可以通过多种方法来解决。以下是一些主要的解决策略： 1. 优化镀膜工艺 蒸发速度控制 ：蒸发速度的设置对膜层厚度有直接的影响，进而影响膜层的应力和均匀性。需要
2024-09-27 10:08
IO-Link 是一项针对工业应用中智能传感器和执行器点对点三线式接口的通信标准。IO-Link 把这些器件的传统接口能力从简单的 NC/NO 开关接口 (标准 IO 或 SIO 模式) 扩展到双向
2023-02-13 15:06
每个电影的内在压力也不同。聚酰亚胺比SiO 2具有更低的应力，并且可以根据需要增加厚度。SiO 2厚度，因此隔离能力是有限的; 与厚的SiO 2层有关的应力，例如15μm的量级，可能导致在隔离器的使用寿命期间的加工或
2018-09-07 16:58
LED 芯片的制造工艺流程：外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2 沉积→窗口图形光刻→SiO2 腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P 极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品
2016-08-05 17:45
20世纪60年代以前，半导体基片抛光还大都沿用机械抛光，得到的镜面表面损伤是极其严重的。1965年Walsh和Herzog提出SiO2溶胶和凝胶抛光后，以SiO2浆料为代表的化学机械抛光工艺就逐渐代替了以上旧方法。
2023-08-02 10:48
我们将简要介绍七个串行接口：SIO、UART、SSP（SPI）、I2C、CAN、USB和EtherMAC。虽然每个接口都有几个不同的操作模式，但我们只介绍一个典型的模式。
2024-01-11 09:30
二氧化硅是芯片制造中最基础且关键的绝缘材料。本文介绍其常见沉积方法与应用场景，解析SiO₂在栅极氧化、侧墙注入、STI隔离等核心工艺中的重要作用。
2025-04-10 14:36
N沟道增强型MOS管在P型半导体上生成一层SiO2薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极（漏极D、源极S）；在源极和漏极之间的SiO2绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G；P型半导体称为衬底，用符号B表示。由于栅极与其它电极之间是相互绝缘的，
2019-03-10 10:44
