日本英达株式会社（NIEC）是肖特基势垒二极管（SBD）和快恢复外延二极管（FRDE）的主要生产厂家。
2010-09-01 21:50
，肖特基势垒二极管（SBD）是功率转换系统中 的核心组件之一，而实现具有低开启电压和超高耐压的GaN基SBD是目前所追求的主要目标。为此，依托先进的半导体TCAD 仿真平台，我司技术团队自主设计并成功制备了一种新型的GaN基
2023-02-16 15:13
分段、机理解耦与参数解耦，突出器件开关特性，弱化物理机理，简化瞬态过程分析，建立基于SiC MOSFET与SiC SBD的换流单元瞬态模型。理论计算结果与实验结果对比表明，该模型能够较为精细地体现SiC MOSFET开关瞬态波形且能够较为准确地计算
2018-02-01 14:01
对超薄栅氧化物，采用软击穿（SBD）技术广泛研究，但没有完全集成到电路可靠性模拟。使用一个6T SRAM单元作为通用电路示例时间相关的SBD被纳入电路退化基于指数缺陷电流增长模型［1］进行分析。SRAM细胞稳定性因个体失效机制而退化为特征。
2021-03-29 09:42
依托先进的半导体器件仿真设计平台，天津赛米卡尔科技有限公司技术团队实现了击穿电压为420 V的GaN基准垂直肖特基功率二极管的设计方案（SFP-SBD：具有侧壁场板的GaN 基准垂直肖特基功率
2023-02-27 15:50
SBD01 - BATTERIES LITHIUM THIONYL CHLORIDE - Dubilier
2022-11-04 17:22
SBD835L - 8A SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER - Diodes Incorporated
2022-11-04 17:22
SBD20C100F
2023-03-29 21:44
SBD1035CT - SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(10A,30-45V) - Mospec Semiconductor
2022-11-04 17:22
SBD1030CT - SCHOTTKY BARRIER RECTIFIERS(10A,30-45V) - Mospec Semiconductor
2022-11-04 17:22
