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关于SiC-SBD，前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容，并探讨SiC-SBD的优势。SiC-SBD、SiｰSBD、Si-PN
2018-11-29 14:33
为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的，所以在此汇总一下SiC-SBD的发展，整理一下当
2023-02-22 09:19
为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的，所以在此汇总一下SiC-SBD
2018-11-30 11:51
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-04-22 06:20
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-03-14 06:20
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-05-07 06:21
为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。
2023-02-08 13:43
下面将对于SiC MOSFET和SiC SBD两个系列，进行详细介绍
2023-11-01 14:46
SiC-SBD为形成肖特基势垒，将半导体SiC与金属相接合（肖特基结）。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同，仅电子移动、电流流动。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合结构，电流通过电子与空穴（孔）流动。
2023-02-23 11:24
