MOSFET的选型需要考虑最大漏极－源极间电压、峰值电流、导通电阻Ron的损耗、封装的最大容许损耗等。
2020-04-05 10:54
MAX14588可调节的过电压和过电流保护装置是理想的正面和负面的输入电压故障保护系统免受高达±40V，和RON集成FET的低190mΩ（典型值）。
2013-01-21 15:20
MAX14653/MAX14654/MAX14655过电压保护器件都具有低38mΩ（典型值）RON内部FET和低电压系统的电压故障保护+28 VDC。
2013-01-24 16:44
是最早、应用最广泛的公钥密码系统之一。它以其创始人Ron Rivest、AdiShamir和Leonard Adleman的名字命名，几乎成为公钥密码的同义词。
2018-12-06 10:23
本设计介绍的是THB8128大功率、高细分两相混合式步进电机驱动器设计。该THB8128步进电机驱动器支持双全桥MOSFET驱动，低导通电阻Ron=0.4Ω（上桥+下桥）。
2020-04-06 10:10
后的1973年，CliffordCocks想出了一种实用的实现方法，方法是将一种和RSA（是1977年Ron Rivest、Adi Shamir和Leonard Adleman一起提出的。
2018-09-07 11:25
和LTPoE ++ PD之间相互识别，同时保持与现有Type 1（13W）和Type 2（25.5W）PD的兼容性和互操作性。LTC4266A功能集是流行的LTC4266的超集。这些PSE控制器具有低RON外部MOSFET和0.25Ω感应电阻，这对于LTPoE ++电流水平尤其重要，以保持尽可能低的散热。
2020-01-07 16:29
150V Gen.3 SGT MOSFET系列产品采用全新屏蔽栅沟槽技术，特征导通电阻Rsp（导通电阻Ron*芯片面积AA）相对上一代降低43.8%，具备更高的电流密度和功率密度。同时，二极管
2024-08-15 16:36
ADGS1412是ADI公司正在开发的SPI开关系列中的首款产品。得益于ADI公司开发的创新双芯片解决方案，ADGS1412不仅具有与并行控制器件ADG1412相同的同类最佳的低RON性能，而且具备
2018-06-12 09:48
