GHz的信号，尤其适合IF和RF应用，包括RFID、ISM、汽车和电池供电标签和笔记本电脑。 “关断”状态下，RF1和RF2反射断开。 “导通”状态下，该开关所需直流电流极低，并与CMOS和一些TTL
2025-03-07 16:21
如图1中阴影部分所示，包括两路正交检波电路。被检波的中频信号RF1（RF2）由前面板送到板内，经过运放后输入正交检波器，本振信号由板内的SMA引入，即F1_in和F2_in，由模块A中功分器的输出F1_out和F
2020-05-31 09:20
、最小插入损耗。 片内电路在极低直流电流时采用正电压控制工作，且控制输入兼容CMOS和大多数TTL逻辑系列。 “关断”状态下，RF1和RF2反射断开。
2025-03-06 13:58
下提供出色的交调性能，三阶交调截点> +60 dBm。 “关断”状态下，RF1和RF2反射短路。 片内电路在极低直流电流时采用+3 Vdc至8 Vdc单正电源工作，且控制输入兼容CMOS逻辑系列。
2025-03-05 15:43
、WiMAX和WiBro应用，典型插入损耗仅为0.3 dB。该设计在+8 V偏置时提供5 W处理性能和+63 dBm三阶交调截点。“关断”状态下，RF1和RF2反射短路。
2025-03-06 09:37
波损耗性能。该器件使用 3.15V 至 5.25V 的单正电源电压。其他功能包括 V~MODE~ 引脚，允许正或负电压控制斜率与衰减和多方向作，这意味着 RF 输入可以施加到 RF1 或 RF2 引脚。该器件具有较宽
2025-04-23 16:32
3.0 GHz的信号，尤其适合IF和RF应用，包括蜂窝/3G、ISM、汽车和笔记本电脑。 该设计提供出色的插入损耗性能，非常适合滤波器和接收机开关应用。 “关断”状态下，RF1和RF2反射短路。 两个控制电压所需的直
2025-03-07 15:53
0.5 dB的450、900、1900、2300和2700 MHz应用。 GaAs PHEMT设计在+3 V偏置时提供出色的+36 dBm 1dB压缩点线性度性能和+60 dBm三阶交调截点。 “关断”状态下，RF1和RF2反射断开。 片内电路在极低直流电流时采用
2025-03-07 15:13
基础设施、WiMAX和WiBro应用，典型插入损耗仅为0.3 dB。 该设计在+8 V偏置下提供3 W的功率处理能力和+63 dBm的三阶交调截点。 “关断”状态下，RF1和RF2反射短路。 控制输入A
2025-03-07 16:32
什么是RF？即Radio frequency射频，主要包括无线收发信机。以下为大家介绍手机RF设计技巧大汇总。
2017-11-23 09:59
