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型号：FF<b class='flag-s-7'>600R</b>17ME4 品牌：

FF600R17ME41700 V 600 A 双 IGBT模块EconoDUAL™ 3 1700 V、600 A 双I

2022-05-11 09:31 武汉开瑞电气有限公司 企业号

型号：FF<b class='flag-s-7'>600R</b>12ME4 品牌：

FF600R12ME4 技术参数：• Ic(A),Tc=80℃        600• Vce(sat),Max(V

2023-01-10 16:34 科琪电子 企业号

型号：FF<b class='flag-s-7'>600R</b>17ME4 品牌：

FF600R17ME4 IGBT模块FF600R17ME4是英飞凌EconoDUAL™系列IGBT模块，具有沟槽结构，并通过在传统的NPT-IGBT的衬底和集电区之间加入一个n型掺杂附加层，这个附加

2023-02-07 13:55 科琪电子 企业号

型号：SGN2933-<b class='flag-s-7'>600D-R</b> 品牌：

SGN2933-600D-R 型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN2933-600D-R提供高功率、高S波段覆盖2.9至3.3GHz的效率和更大的一致性50V工作和高达脉冲

2023-12-11 13:25 立年电子科技 企业号

型号：SGN2729-<b class='flag-s-7'>600H-R</b> 品牌：

SGN2729-600H-R型号简介Sumitomo的GaN HEMT SGN2729-600H-R为s波段雷达应用提供高功率、高效率和更高的一致性，覆盖2.7至2.9 GHz，工作电压为50V

2023-12-17 10:56 立年电子科技 企业号

型号：SVS70<b class='flag-s-7'>R600</b>DE3 品牌：

供应700V超结MOS管SVS70R600DE3，提供士兰微cool mos SVS70R600DE3关键参数 ，更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>

2022-11-02 16:02 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：SGN2729-<b class='flag-s-7'>600H-R</b> 品牌：

Sumitomo Electric Device Innovations 的 SGN2729-600H-R 是一款射频晶体管，频率 2.7 至 2.9 GHz，功率 57.7 至 58.45 dBm

2022-09-09 10:36 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：IPD60<b class='flag-s-7'>R600</b>CP-VB 品牌：微碧

3.5V 的阈值电压（Vth）。该 MOSFET 的导通电阻（RDS(ON)）为500mΩ @ VGS=10V，最大漏极电流（ID）达到9A。IPD60R600C

2025-08-27 11:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：6<b class='flag-s-7'>R600</b>P6-VB TO220F 品牌：微碧

### 6R600P6-VB MOSFET 产品简介6R600P6-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO220F封装。它具有650V的漏源电压和12A的漏电流能力，适合中等功率应用场合。采用

2024-11-19 11:08 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：IPP60<b class='flag-s-7'>R600</b>CP-VB 品牌：微碧

### 一、IPP60R600CP-VB 产品简介IPP60R600CP-VB 是一款采用 TO220 封装的单通道 N 型 MOSFET，设计用于高压应用。它具备 650V 的漏源极电压 (VDS

2025-09-01 14:21 微碧半导体VBsemi 企业号