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型号：IPD60<b class='flag-s-7'>R1K4C</b>6-VB 品牌：微碧

### 一、IPD60R1K4C6-VB 产品简介：IPD60R1K4C6-VB 是一款封装为TO252的单N沟道功率MOSFET，设计用于高电压应用，最大漏源电压（VDS）为650V。该器件支持

2025-08-27 11:06 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：BUK6E3<b class='flag-s-7'>R4-40C</b>-VB 品牌：微碧

### 一、BUK6E3R4-40C-VB产品简介BUK6E3R4-40C-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，封装为TO262，采用先进的Trench技术。这款MOSFET专为高电流和高效能

2025-08-04 15:39 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：BUK664<b class='flag-s-7'>R4-55C</b>-VB 品牌：微碧

### 一、BUK664R4-55C-VB 产品简介BUK664R4-55C-VB 是 NXP Semiconductors 提供的一款高性能单 N 沟道 MOSFET，封装形式为 TO-263

2025-08-04 15:01 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：BUK653<b class='flag-s-7'>R4-40C</b>-VB 品牌：微碧

### 一、BUK653R4-40C-VB产品简介BUK653R4-40C-VB是一款高性能N沟道MOSFET，封装为TO220，采用先进的Trench技术。此MOSFET设计用于高电流、高效能

2025-01-15 16:33 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：BUK662<b class='flag-s-7'>R4-40C</b>-VB 品牌：微碧

### BUK662R4-40C-VB 产品简介**BUK662R4-40C-VB** 是一款高性能单N沟道功率MOSFET，封装形式为 TO263。采用 Trench 技术制造，该 MOSFET

2025-08-04 14:26 微碧半导体VBsemi 企业号

型号： PTB-60-1<b class='flag-s-7'>R018R0-4R</b>5-22-115VAC- 品牌：

   PTB-60-1R018R0-4R5-22-115VAC-NFF   PMI

2024-10-28 15:07 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：PTB-30-0<b class='flag-s-7'>R58R0-4R</b>5-13-115VAC-NF 品牌：

   PTB-30-0R58R0-4R5-13-115VAC-NFF 初级 PMI 型号 PTB-30-0R58R0-4R

2024-10-28 15:38 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：FS200<b class='flag-s-7'>R12KT4R</b> 品牌：

FS200R12KT4R1200 V 200 A 六单元 IGBT模块EconoPACK™ 3 1200V 200A 六单元 IGBT 模块，采用第四代快速 TRENCHSTOP

2022-05-11 09:47 武汉开瑞电气有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>C09-0R</b>418 品牌：

22 dB，插入损耗 2 dB。标签：带连接器的模块。C09-0R418 的更多细节可以在下面看到。产品规格产品详情零件号C09-0R418制造商马基微波炉描述4

2023-05-11 17:42 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号

型号：AD7091<b class='flag-s-7'>R-4</b>BRUZ 品牌：

AD7091R-4是多通道、12位、超低功耗、逐次逼近型模数转换器(ADC)，提供2/4/8模拟输入通道选项。AD7091R-2/AD7091R-4/AD7091

2023-03-16 09:26 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号