### APM3020PUC-VB MOSFET 产品简介APM3020PUC-VB 是一款单P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用TO252封装。该器件适用于负30V的漏源电压
2024-12-30 17:07 微碧半导体VBsemi 企业号
下面是关于VBsemi品牌的APM4053PUC-TRL-VB P-Channel沟道场效应管的详细信息:### 产品简介APM4053PUC-TRL-VB是VBsemi生产的高性能
2024-05-28 14:32 微碧半导体VBsemi 企业号
### APM3023PUC-TRL-VB 产品简介APM3023PUC-TRL-VB 是一款单 N 沟道功率 MOSFET,采用先进的槽沟技术,具备低导通电阻和高效能特性,适合要求高效能和稳定性
2024-12-30 17:15 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品简介:**APM4050PUC-TRG-VB是VBsemi品牌的P沟道场效应晶体管,具有-40V的漏极-源极电压承受能力,最大漏极电流为-65A,漏极-源极电阻在10V下为10mΩ。该器件
2024-05-28 14:29 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介详述:APM3195PUC-TR-VB 是一款单 P 沟道 MOSFET,采用先进的槽沟技术(Trench)制造,封装形式为 TO252。其具备低导通电阻和高电流承载能力,非常
2024-12-30 17:45 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是APM4115PUC-TRL-VB的产品简介、详细参数说明以及适用领域和模块的语段形式说明:### 产品简介:APM4115PUC-TRL-VB是VBsemi生产的P沟道场效应管,封装
2024-05-28 14:34 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介详述:APM2150PUC-TRL-VB 是一款单通道 P 沟道场效应管(MOSFET),采用先进的沟槽技术(Trench),适用于各种中高功率应用。它具有-30V的漏极-源极电压
2024-12-27 16:08 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介APM2095PUC-TRL-VB 是一款单路P沟道MOSFET,采用槽道结构技术,具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于各种中低功率电子应用。该器件提供了良好的电气性能和可靠性
2024-12-27 16:04 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介详述:APM3195PUC-TRL-VB是一款单P沟道场效应管(MOSFET),采用了Trench技术制造,封装形式为TO252。它具有低导通电阻和较高的电流处理能力,适用于低
2024-12-30 17:43 微碧半导体VBsemi 企业号