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一颗较大功率的主控芯片为INN3378C，采用了PowiGaN技术，芯片内置PWM控制器、高压MOS、同步整流控制器等，集成度非常高，并且采用数字总线控制调压。宽电压范围条件下，密闭外壳内可以输出55W
2023-06-16 14:05
的PowiGaN方案具有高集成度、易于工厂开发的特点；纳微半导体的GaNFast方案则可以通过高频实现充电器的小型化和高效率（小米65W也是采用此方案）。对于氮化镓快充普及浪潮的来临，各大主流电商及电源厂
2020-03-18 22:34
