）和PMOS（P型金属氧化物半导体）。而CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体）则是由NMOS和PMOS组成的集成电路技术。本文将详细介绍NMOS、PM
2024-05-28 14:40
本文开始介绍了mos管的结构特点、工作原理和MOS管应用，其次介绍了PMOS管的概念和工作原理，最后介绍了两种判断NMOS管和PMOS管的方法。
2018-04-03 14:12
MOS管是非常常用的分立器件产品，通常它有三个脚，为G、D、S，通过G、S间加控制信号时可以改变D、S间的导通和截止。PMOS和NMOS在结构上完全相像，所不同的是衬底和源漏的掺杂类型。NMOS是在
2024-09-13 09:14
项目中最常用的为增强型mos管，分为N沟道和P沟道两种。由于NMOS其导通电阻小，且容易制造所以项目中大部分
2018-09-23 11:44
当5V反接时，G极是高电平，Ugs》0，PMOS管不会导通，起到保护电路的作用。
2020-03-22 16:24
通过D3, D4, R4，实现“浮地”拓扑，可钳位比较器的供电电压，使其输出不会超过MOS 管的最大栅源电压V G S ( m a x ) 。
2022-10-13 11:33
以常用的5V/2A为例。常用二极管串联在电路中，在电源反接时，二极管承担所有的电压，有效防止电源反接损坏后级设备。但是，二极管上压降较大，损耗较高。使用肖特基二极管可以减小损耗，但是仍对电路有较大影响，特别是在电源电压更低的情况下。
2022-09-27 10:59
实际常见的电源应用有DCDC和LDO两种，与DCDC电路不同的是，LDO输出晶体管的工作状态是线性工作模式，并非开关模式。
2024-10-28 10:56
根据半导体表面电场效应，通常按照多子堆积状态、多子耗尽状态及少子反型状态3种彼此孤立的理想情况对MIS结构电容的压控特性进行理论分析。但实际上，3种情况间出现过渡过程，如堆积状态与耗尽状态间经过有平带状态、耗尽状态过渡到反型状态经历弱反型直至强反型态，所以其压控特性是连续变化的。倘若交变电压频率较高时，反型层中少子的产生与复合跟不上外电场的变化，其数量基本不变、空间电荷区的电容仍然由耗尽区的电荷变化决定的。因此，在反型区内电容的压控特性有准静态和高频情形之区别，如图1所示。
2018-07-03 07:12
