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型号：20N50<b class='flag-s-7'>H</b> TO<b class='flag-s-7'>3P</b>-VB 品牌：微碧

### 20N50H TO3P-VB 产品简介20N50H TO3P-VB 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET，设计用于要求高电压和高电流的应用。采用了 SJ_M

2024-07-09 15:40 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：RU<b class='flag-s-7'>6H9P</b>-VB 品牌：微碧

### RU6H9P-VB 产品简介RU6H9P-VB 是一款高压 N 型 MOSFET，采用 TO220F 封装，专为高电压和中等电流应用设计。其最大漏源电压为 650V，使其能够在严苛的电力环境

2025-09-17 11:15 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：20N40<b class='flag-s-7'>H</b> TO<b class='flag-s-7'>3P</b>-VB 品牌：微碧

### 一、产品简介20N40H TO3P-VB 是 VBsemi 生产的一款高压单N沟道MOSFET，封装为TO3P，适用于高压电源开关和电机驱动等应用。该器件采用多重外延结构

2024-07-09 15:29 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：155N<b class='flag-s-7'>3H6</b>-VB 品牌：微碧

### 155N3H6-VB 产品简介**产品型号**: 155N3H6-VB**封装形式**: TO252**配置**: 单N沟道**主要参数**:- **漏源极电压 (VDS)**: 30V-

2024-07-06 16:03 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：16N50<b class='flag-s-7'>H</b> TO<b class='flag-s-7'>3P</b>-VB 品牌：微碧

**16N50H TO3P-VB 产品简介：**16N50H TO3P-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET，具有600V 的漏极-源极电压（VDS），30V（±

2024-07-08 14:23 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：BLU<b class='flag-s-7'>6H0410L-600P</b> 品牌：

BLU6H0410L-600P型号简介       BLU6H0410L-600P是Ampleon(安谱隆)推出的一款功率 LDMOS 晶体管 ，这款晶体管

2024-10-08 09:47 立年电子科技 企业号

型号：BLU<b class='flag-s-7'>6H0410LS-600P</b> 品牌：

BLU6H0410LS-600P型号简介       BLU6H0410LS-600P是Ampleon(安谱隆)推出的一款LDMOS 功率晶体管，它能够在输出

2024-08-30 11:23 立年电子科技 企业号

型号：RU<b class='flag-s-7'>6H10P</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介RU6H10P-VB是一款高压单N沟道MOSFET，采用TO220F封装，设计用于650V的高压电源应用。其30V的栅源电压（VGS）范围和3.5V的门槛电压（Vth）确保了设备在

2025-09-17 11:12 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：D<b class='flag-s-7'>6V3H</b>1U2LPQ 品牌：

D6V3H1U2LPQ  产品简介DIODES 的 D6V3H1U2LPQ 这款新一代 TVS 旨在保护敏感电子设备免受 ESD 损坏。小尺寸和高 ESD 浪涌能力的结合使其非常适合便携式

2023-10-12 10:35 立年电子科技 企业号

型号：NTF<b class='flag-s-7'>6P02T3</b>G-VB 品牌：微碧

型号 NTF6P02T3G丝印 VBJ2456品牌 VBsemi详细参数说明  类型 P沟道MOSFET 最大耐压 40V 最大电流 6A 导通电阻 42mΩ @10V, 49m

2023-11-02 10:16 微碧半导体VBsemi 企业号