本帖最后由 Howardhiew 于 2014-11-17 17:47 编辑 我是炉管部的，有一管产品的控片表现出oxide uniformity很不好，主要表现在wafer edge
2014-11-17 17:41
parameters of rate of oxide growth, temperature of the oxide growing process and final oxide
2018-09-12 10:06
of silicon on 0.4um oxide substrate#meshspace.mult=1.0# x.mesh loc=0.00spac=0.50x.mesh loc=1.15spac
2015-03-10 10:21
1.IC封装打线及IC 内部线路短路2.介电层（Oxide）漏电3.晶体管和二极管的漏电4.TFT LCD面板&PCB/PCBA的金属线路缺陷和短路5.ESD闭锁效应6.3D封装
2019-11-19 11:35
of silicon on 0.4um oxide substrate#meshspace.mult=1.0# x.mesh loc=0.00spac=0.50x.mesh loc=1.15spac
2017-03-05 23:49
固体图像传感器(也称固体光电成像器件)有CCD与CMOS两种。CCD是“电荷耦合器件”(Charge Coupled Device)的简称，而CMOS是“互补金属氧化物半导体”(Complementary Metal Oxide Semiconductor)的简称。
2020-04-13 07:13
金属氧化物半导体元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)图像传感器和电荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)摄像器件
2019-10-15 07:25
金属氧化物半导体元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)图像传感器和电荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)摄像器件
2019-10-10 07:33
LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)横向扩散金属氧化物半导体)是为900MHz蜂窝电话技术开发的，蜂窝通信市场的不断增长保证了
2019-06-26 07:33
金属氧化物半导体元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)图像传感器和电荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)摄像器件
2019-09-04 07:45
