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  • 从CMOS学习schottky和ohmic接触的区别

    本帖最后由 iweimo 于 2014-5-3 13:51 编辑 学习一下schottky和ohmic接触的区别。有分析的不对的地方请指正。

    2014-05-03 13:49

  • 不要忘记直流传递功能中的电压降

    they don’t drop voltage, inductors have no ohmic losses and so on. In reality, all these elements

    2018-10-12 08:53

  • 失效分析和热点测试

    Diodes /Reverse Biased Diodes Breakdown)侦测不到亮点情况不会出现亮点的故障奥姆或金属的短路(Ohmic Short / Metal Short)亮点被遮蔽之情况埋入式

    2018-08-22 09:20

  • 三极管的Pspice模型参数

    ohmic resistanceohm0.0RCO epitaxial region resistance ohm0.0RE emitter ohmic resistance ohm0.0TF

    2011-04-12 21:25

  • 贴片电阻简述

    purpose thin film General purpose thinfilm, 0201-2512  低阻值贴片电阻  Low ohmic Low ohmic, 0402 - 1206  Low

    2012-08-22 10:07

  • 电阻类别(好东西呀,Too)(3)

      General purpose thin film General purpose thinfilm, 0201-2512  低阻值贴片电阻  Low ohmic Low ohmic, 0402

    2012-07-28 14:25

  • MOSFET使用时一些参数的理解

    与Vds和Vgs的关系。对于MOSFET工作于开关的应用,应该使得MOSFET工作在“ohmic”区域,划分ohmic区域与饱和区域的临界线是由Vds=Vgs-Vgs(th)决定的。6. Rds

    2018-07-12 11:34

  • [分享]三极管的Pspice模型参数

    ) base resistanceohm0.0最大基极电阻RBMminimum base resistance ohmRB最小基极电阻RCcollector ohmic

    2008-05-12 22:19

  • 开关电源设计之:P沟道和N沟道MOSFET比较

    的工作特性。 对N沟道器件为正的电流和电压对P沟道器件为负值。图4:MOSFET第一象限特征。在有充足电压施加到栅-源极端子的欧姆区域(ohmic region),MOSFET“完全导通”。在对比图中

    2021-04-09 09:20

  • P沟道和N沟道MOSFET在开关电源中的应用

    子的欧姆区域(ohmic region),MOSFET“完全导通”。在对比图中,N沟道欧姆区的VGS是7V,而P沟道的是-4.5V。随着栅极电压增加,欧姆曲线的斜率变得更陡,表明器件导电能力更强。施加

    2018-03-03 13:58