射频同轴线缆特征阻抗的选择，主要取决于功率容量、衰减强度、可加工性等因素，然而最大功率容量和最小衰减性能对应的特征阻抗是不同的。在射频领域通常采用50 Ohm特征阻抗的原因，就是综合考虑了以上因素
2021-09-02 14:12
自从有了67G的矢网，需要测试的板子不知怎的就突然多起来了呢。今天给大家分享一个我们前段时间遇到的测试案例。 芯片之间有一组高速信号，走线的设计阻抗是100ohm，给到加工的要求是100ohm
2021-03-21 11:57
阻抗匹配器，具有阻抗匹配的作用，但是会具有比较大的损耗。这个损耗会降低VNA的方向性，进而影响VNA的动态范围。
2022-10-28 11:57
单片机或者FPGA给SPI控制信号给到锁相环芯片时，经常要串接一个22ohm或者33ohm的电阻，这是有啥道理呢？
2022-12-09 10:52
0欧电阻的作用,0ohm resistor 关键字：0欧电阻的作用 电阻标值为0欧姆的电阻为0欧电阻。 0欧电阻是蛮有用的。大概有
2018-09-20 18:52
凌力尔特（ Linear Technology）发表一款 15.5分贝增益模块LTC6431-15，可于50Ohm环境中达到20MHz至1GHz以上的高动态範围。该元件採用先进的SiGe製程，并提供两种性能等级。
2012-09-20 10:05
探讨0Ohm电阻、磁珠。电感接地的区别 在我们的日常工作中，我们都知道，只要是地，都要汇聚在一起，接入到大地。若不接在一起便是"浮地"，就会存在压差，容易积累电荷，造成静电等影响。地是参考零电位
2023-07-26 10:04
在与机顶盒相连的组合频段馈送电缆中，卫星DBS频段为950至2150MHz，陆地电视频段为54至860MHz。所以在机顶盒的输入需要使用高通滤波器防止UHF频道的信号到达卫星DBS调谐器并降低
2006-05-07 13:37
今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。 LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化硅MOSFET产品的重要补充，也是Littelfuse公司已发布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二极管的强有力补充。最终用户将受益于更加紧凑节能的系统以及潜在更低的总体拥有成本。
2018-10-23 11:34
支持电动和混合动力汽车、数据中心和辅助电源等高频、高效电源控制应用 Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，扩充了其碳化硅MOSFET器件组合。
2018-11-03 11:02
