型号 STD10NF10T4丝印 VBE1101M品牌 VBsemi详细参数说明 类型 N沟道MOSFET 最大耐压 100V 最大电流 18A 导通电阻 115mΩ@10V, 121m
2023-11-03 13:44 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介4NF20L-VB是一款单N沟道MOSFET，采用SOT223封装，具有中压承受能力和稳定的性能特征。这款MOSFET适用于需要中等电压和低功率特性的应用场合。### 详细参数
2024-11-13 15:54 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、4NF03L-VB 产品简介4NF03L-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用SOT223封装。该产品适用于低电压和中小功率的电源开关和控制应用，具有低导通电阻和高效能特性，适合要求
2024-11-13 15:49 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：STN4NF03L-VB丝印：VBJ1322品牌：VBsemi参数：- N沟道- 最大耐压：30V- 最大漏电流：7A- 静态导通电阻（RDS(ON)）：25mΩ @ 10V, 38m
2023-12-18 16:57 微碧半导体VBsemi 企业号
STD35NF06T4详细参数说明 极性 N沟道 额定电压 60V 额定电流 45A 导通电阻 24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V 门源电压 20Vgs (±V) 阈值电压
2023-10-30 14:03 微碧半导体VBsemi 企业号
### 4NF06L-VB SOT223 MOSFET 产品简介4NF06L-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用SOT223封装。该器件具备60V的漏极电压（VDS）和±20V的栅极电压（VGS
2024-11-13 15:53 微碧半导体VBsemi 企业号
型号: STD30NF06LT4-VB丝印: VBE1638品牌: VBsemi参数:- 封装: TO252- 沟道类型: N-Channel- 最大电压(Vds): 60V- 最大电流(Id
2024-01-02 16:40 微碧半导体VBsemi 企业号
型号：STD12NF06LT4-VB丝印：VBE1695品牌：VBsemi参数：- 沟道类型：N沟道- 额定电压：60V- 额定电流：18A- 静态导通电阻（RDS(ON)）：73mΩ @ 10V
2023-12-21 16:14 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品型号:** STD12NF06T4-VB **丝印:** VBE1695 **品牌:** VBsemi **参数:**- 封装: TO252- 类型: N
2024-02-03 14:18 微碧半导体VBsemi 企业号
