Mini Circuits 的 MERA-556+ 是一款射频放大器,频率 DC 至 2.2 GHz、增益 19 dB、噪声系数 3.5 dB、输出功率 60 至 17.6 dBm
2024-05-06 10:27 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品简介BUK556-60H-VB 是一款高性能单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装。这款器件采用沟槽技术,具有非常低的导通电阻和高电流处理能力,使其在高功率和高效率应用中表
2025-01-13 15:48 微碧半导体VBsemi 企业号
特点NE5534、NE5534A、SA5534和SA5534A这些器件是高性能运算放大器结合了出色的直流和交流特性。一些其特点包括噪音极低、输出功率高驱动能力、高单位增益和最大输出摆动带宽、低失真
2025-02-20 11:09 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
SMG2342NE-VB 丝印: VB1330 品牌: VBsemi参数:- 封装: SOT23- 沟道类型: N-Channel- 额定电压: 30V- 额定电流: 6.5A- RDS
2024-04-07 16:48 微碧半导体VBsemi 企业号
SMG2334NE-VB是VBsemi品牌的N沟道场效应管,参数如下:- 封装:SOT23- 额定电压:30V- 额定电流:6.5A- 导通电阻:30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V-
2024-04-07 16:42 微碧半导体VBsemi 企业号
AM2394NE (VB1102M)参数说明:N沟道,100V,2A,导通电阻246mΩ@10V,260mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压2V,封装:SOT23。应用简介
2023-12-06 11:47 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、7NE10L-VB 产品简介7NE10L-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用Trench技术制造,封装形式为TO220。具有100V的耐压能力和低导通电阻特性,适合于需要高效能量转换
2024-11-21 14:05 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**产品型号:AM3962NE-VB****封装类型:SOT23-6****配置:双N+N沟道****技术:Trench**AM3962NE-VB 是一款双N+N沟道功率
2024-11-29 15:53 微碧半导体VBsemi 企业号