器件沟道长度为1μm，HFO2栅介质厚度为4.88nm；SiO2栅介质厚度为2nm；P衬底掺杂浓度4E15cm^-3；栅电极为铝金属。
2023-07-05 16:45
n沟道增强型绝缘栅场效应管 n沟道增强型绝缘栅场效应管，又称nMOSFET（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），是一种非常
2023-09-02 10:05
导通电阻有时候也译成通态电阻。在同样的条件下，NMOSFET的导通电阻比PMOSFET要小。这是因为电子的导通速度比空穴快，因而影响到导通电阻。因此，为了追求低导通电阻，在某些高边的驱动应用中，是用
2020-07-14 11:41
MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。
2017-09-13 14:45
LN3436 是一款电流模式 COT 架构同步降压开关稳压器。输入范围为 2.7V-6.0V，可提供 2A 的连续输出电流。内部集成了低内阻的 PMOSFET 和 NMOSFET，从而实现系统高效率转换。 在轻负载时，稳压器以低频运行，以保持高效率和低输出纹波。
2022-06-16 14:09
根据沟道掺杂类型的不同，MOSFET分为nMOSFET和pMOSFET两种，两者组合在一起即为互补型MOS（Complementary MOS,CMOS）。平面MOSFET在集成电路器件发展中占据着主导地位。
2022-09-08 09:37
与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。
2019-03-28 14:43
MOSFET是以金属层（M）栅极隔着氧化层（O）利用电场效应来控制半导体（S）的场效应晶体管，其特点是用栅极电压来控制漏极电流。根据其沟道的极性不同，MOSFET可分为电子占多数的N沟道型与空穴占多数的P沟道型，通常又称为N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40
又称为NMOSFET与PMOSFET。 MOSFET是一个时代产物,他开关速度快/输入阻抗大/热稳定性好等等优点,已经成为工程师们的首选.如果非要说说MOSFET的缺点,就是他容易被静电破坏,复杂电路
2023-01-31 18:05
与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称上包括NMOS、PMOS等，本文主要讲解MOSFET的一些电路
2023-01-04 09:35
