### AP90T03GH-VB 产品简介AP90T03GH-VB 是一款单N通道MOSFET,具有高性能的功率开关特性,适用于各种需要高效能和高可靠性的电源管理和功率控制应用。它采用TO252封装
2024-12-21 16:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP90T03GI-VB 产品简介AP90T03GI-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用TO220F封装,具有低导通电阻、高电流承载能力和优秀的功率转换特性。适用于需要高效能和可靠性
2024-12-23 14:42 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介AP90N03S-VB 是一款单通道N沟道MOSFET,采用TO263封装。它具有低漏极电阻和高导通电流的特点,适用于需要高功率和高效率的功率开关和电源管理应用。### 详细参数
2024-12-21 16:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介AP90N03P-VB是一款单N沟道场效应管(Single-N-Channel MOSFET),采用TO220封装。它采用先进的Trench工艺制造,具有低导通电阻、高电流承载
2024-12-21 16:10 微碧半导体VBsemi 企业号
### AP90T03GHR-VB 产品简介AP90T03GHR-VB 是一款单 N-沟道 MOSFET,采用 TO252 封装。它具有高度集成的设计和优异的导通特性,适合高性能电子电路的需求。该
2024-12-21 16:12 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介:AP90T03GS-VB是一款单通道N沟道功率MOSFET,采用先进的沟道技术制造,适用于高性能功率开关应用。该器件具有30V的漏极-源极电压(VDS),20V的门极-源极电压
2024-12-23 14:51 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**AP90T03GR-VB** 是一款单N-Channel MOSFET,采用TO262封装。该器件具有较低的导通电阻和高达90A的漏极电流承载能力,适用于需要高效能和高
2024-12-23 14:43 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介详细:AP90T03P-VB 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET,采用 TO220 封装,适用于各种需要高电流和低导通电阻的应用。该器件采用先进的 Trench 技术
2024-12-23 14:55 微碧半导体VBsemi 企业号