### 一、250N55F3-VB产品简介250N55F3-VB是VBsemi公司推出的一款双N沟道MOSFET,采用Trench技术,适用于高功率和高电流的应用。该器件具有低导通电阻和高可靠性
2024-07-10 16:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介55N055-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装,具有优异的功率特性和低导通电阻,适合需要高效能和高可靠性的电子应用。### 详细参数
2024-11-14 14:01 微碧半导体VBsemi 企业号
VBsemi MTB55N03N3-VB- 封装:SOT23- 沟道类型:N—Channel- 额定电压:30V- 额定电流:6.5A- 导通电阻:RDS(ON) = 30mΩ @ VGS
2024-04-01 16:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### 55N03-VB 产品简介55N03-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 TO252 封装。它具有低漏极-源极电压(30V)和高电流处理能力,适合于
2024-11-14 13:59 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、65N55F3-VB产品简介65N55F3-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装,具有优异的导通特性和高电流承载能力。该器件适用于中等电压和高电流的应用场合,结合
2024-11-16 15:26 微碧半导体VBsemi 企业号
### 180N55F3-VB TO220 产品简介VBsemi的180N55F3-VB TO220是一款高性能单N沟道MOSFET,采用Trench技术,具有较高的漏源电压和较低的导通电阻。这款
2024-07-08 15:14 微碧半导体VBsemi 企业号
VBsemi的MOSFET产品190N55LF3-VB是一款单通道N沟道器件,具有60V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS,±V),和3V的阈值电压(Vth)。该器件采用
2024-07-08 16:54 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是对MOSFET产品110N55F6-VB的产品简介、参数说明以及适用领域和模块的详细说明:### 产品简介:110N55F6-VB是一款单N沟道MOSFET,采用Trench技术制造,具有优异
2024-07-05 14:02 微碧半导体VBsemi 企业号