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型号：250<b class='flag-s-7'>N55</b>F3-VB 品牌：微碧

### 一、250N55F3-VB产品简介250N55F3-VB是VBsemi公司推出的一款双N沟道MOSFET，采用Trench技术，适用于高功率和高电流的应用。该器件具有低导通电阻和高可靠性

2024-07-10 16:16 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>55N</b>055-VB 品牌：微碧

### 产品简介55N055-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，具有优异的功率特性和低导通电阻，适合需要高效能和高可靠性的电子应用。### 详细参数

2024-11-14 14:01 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：65<b class='flag-s-7'>N55</b>F3-VB 品牌：微碧

### 一、65N55F3-VB产品简介65N55F3-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO252封装，具有优异的导通特性和高电流承载能力。该器件适用于中等电压和高电流的应用场合，结合

2024-11-16 15:26 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>55N</b>03-VB TO252 品牌：微碧

### 55N03-VB 产品简介55N03-VB 是一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用 TO252 封装。它具有低漏极-源极电压（30V）和高电流处理能力，适合于

2024-11-14 13:59 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：C4H2327<b class='flag-s-7'>N55</b>P 品牌：

C4H2327N55P型号简介       C4H2327N55P是Ampleon(安谱隆)推出的一款 50W 的 GaN 封装 Doherty 功率晶体管

2024-08-15 16:05 立年电子科技 企业号

型号：190<b class='flag-s-7'>N55</b>LF3-VB 品牌：微碧

VBsemi的MOSFET产品190N55LF3-VB是一款单通道N沟道器件，具有60V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），和3V的阈值电压（Vth）。该器件采用

2024-07-08 16:54 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：180<b class='flag-s-7'>N55</b>F3-VB TO220 品牌：微碧

### 180N55F3-VB TO220 产品简介VBsemi的180N55F3-VB TO220是一款高性能单N沟道MOSFET，采用Trench技术，具有较高的漏源电压和较低的导通电阻。这款

2024-07-08 15:14 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：JDSU OLA-<b class='flag-s-7'>55</b> OLP-<b class='flag-s-7'>55</b> OLS-<b class='flag-s-7'>55</b> 品牌：

产品简介  OLA-55智能光衰减器一个完整的智能光学水准仪40 Gbps的衰减器准备好了OLA-54和OLA-55智能光学衰减器是不会过时的水平,改善了系统测试的可变衰减器

2022-07-29 15:35 鸿承仪器 企业号

型号：90<b class='flag-s-7'>N55</b>F4-VB TO263 品牌：微碧

### 产品简介90N55F4-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO263封装，具有高性能和可靠性，适用于高功率应用环境。### 详细参数说明- **型号**: 90N55

2024-11-22 17:44 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：60<b class='flag-s-7'>N55</b>F3-VB TO220F 品牌：微碧

### 产品简介**型号：60N55F3-VB**60N55F3-VB 是一款高性能单N沟道功率MOSFET，采用Trench技术，具备低导通电阻和高电流承载能力。该型号适用于中高电流和低压降的功率

2024-11-15 17:38 微碧半导体VBsemi 企业号