一、内存模组n/a问题概述 1.1 内存模组的定义 内存模组，又称为RAM（Random Access Memory），是计算机系统中用于存储数据的硬件设备。它允许处理器快速访问和处理数据，从而
2024-10-14 10:44
仁懋电子（MOT）推出的MOT4N65F是一款面向650V高压场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借低导通电阻、高输入阻抗及RoHS合规性，广泛适用于电子镇流器、电子变压器、开关模式电源等领域
2025-11-04 15:59 深圳市首质诚科技有限公司 企业号
UTC 4N60是一个高电压MOSFET ，并设计成有更好的特性，如快速开关时间，低门电荷，低通态电阻，并具有高耐用雪崩的特点。这个功率MOSFET通常用在高速开关电源中的应用， PWM马达控制，高高效率的DC -DC转换器和电桥电路。
2019-05-14 15:08
一、距离d和RSSI的计算公式d=10^((ABS(RSSI)-A)/(10*n))其中d为距离，单位是m。RSSI为手机接收到蓝牙信标的信号强度，为负数。A为手机距离蓝牙信标1m时接收到的RSSI
2024-05-21 20:13 深圳市极光通信科技有限公司 企业号
仁懋电子（MOT）推出的MOT4N70C是一款面向700V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借700V耐压、快速开关特性及稳定雪崩能力，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等
2025-10-28 17:48 深圳市首质诚科技有限公司 企业号
仁懋电子（MOT）推出的MOT4N65D是一款面向650V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET，凭借高开关速度、稳定雪崩能力及650V耐压特性，广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等
2025-10-30 14:53 深圳市首质诚科技有限公司 企业号
JSAB正式推出采用TO-247Plus-4L封装的1200V-140A IGBT单管，产品型号为 JHY140N120HA。产品外观和内部电路拓扑如下图所示。
2023-08-25 15:40
首先我们来了解下4P和3P+N的区别！！！3P+N和4P的断路器同样属于四极(有四对输入/输出端子)的断路器，它们的区别在于零（
2019-07-06 10:49
ADF4153A是一款小数N分频频率合成器，用来在无线接收机和发射机的上变频和下变频部分实现本振。它由低噪声数字鉴频鉴相器(PFD)、精密电荷泵和可编程参考分频器组成。该器件内置一个Σ-Δ型小数插值
2025-04-25 14:58
本教程采用433M射频模组配合N9020A频谱分析仪进行测试，此模组发送功率为1W，即30dBm，N9020A允许最大输入功率为30dBm,需要注意的是，对于发送功率较大的射频测试，需要外接固定衰减器，否则很容易损坏测试仪器。
2023-03-16 09:49
