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型号：<b class='flag-s-7'>3N40K3</b>-VB SOT223-<b class='flag-s-7'>3</b> 品牌：微碧

### 产品简介3N40K3-VB 是一款由VBsemi公司生产的单N沟道MOSFET，采用SOT223-3封装。该器件具有650V的漏源电压（VDS）和±30V的栅源电压（VGS），适用于要求高

2024-11-07 16:08 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>3N45K3</b>-VB TO251 品牌：微碧

### 一、产品简介**3N45K3-VB MOSFET**The 3N45K3-VB is a high-voltage N-Channel MOSFET designed

2024-11-07 16:15 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：UJ<b class='flag-s-7'>3N065080K3</b>S 品牌：

UJ3N065080K3S产品简介Qorvo 的 UJ3N065080K3S 是一款 650 V、80 mohm 高性能 Gen 3 SiC 常开 JFET 晶体管。该器件具有超低导通电阻 (RDS

2023-05-15 09:35 立年电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>3N40L-TF3</b>-T-VB 品牌：微碧

### 产品简介3N40K3-VB是VBsemi生产的单N沟道MOSFET，采用SOT223-3封装。该器件具有650V的漏源电压（VDS）和±30V的栅源电压（VGS），适用于要求高电压的功率管

2024-11-07 16:11 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：UJ<b class='flag-s-7'>3N120035K3</b>S 品牌：

UJ3N120035K3S产品简介Qorvo 的 UJ3N120035K3S 是一款 1200 V、35 mohm 高性能 Gen 3 SiC 常开 JFET 晶体管。该器件具有超低导通电

2023-05-15 09:45 立年电子科技 企业号

型号：UJ<b class='flag-s-7'>3N065025K3</b>S 品牌：

UJ3N065025K3S 产品简介Qorvo 的 UJ3N065025K3S 是一款 650 V、25 mohm 高性能 Gen 3 SiC 常开 JFET 晶体管。该器件具有超低导通电

2023-05-15 09:27 立年电子科技 企业号

型号：100<b class='flag-s-7'>N3LF3</b>-VB 品牌：微碧

100N3LF3-VB是一款TO252封装的单N沟道MOSFET。它具有30V的漏极-源极电压（VDS），20V的栅极-源极电压（VGS，±V），1.7V的阈值电压（Vth），在VGS=4.5V

2024-07-04 15:39 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>3N80L-TA3</b>-T-VB 品牌：微碧

### 一、3N80L-TA3-T-VB 产品简介3N80L-TA3-T-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO220封装。该产品具有850V的漏源极电压（VDS），30V的栅源极电压（VGS

2024-11-07 16:41 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：UJ<b class='flag-s-7'>3N120070K3</b>S 品牌：

UJ3N120070K3S 产品简介Qorvo 的 UJ3N120070K3S 是一款 1200 V、70 mohm 高性能 Gen 3 SiC 常开 JFET 晶体管。该器件具有超低导

2023-05-15 09:57 立年电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>3N65KG-TF3</b>-T-VB 品牌：微碧

### 一、3N65KG-TF3-T-VB 产品简介3N65KG-TF3-T-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO220F封装。该产品具有650V的漏源极电压（VDS），30V的栅源极电压

2024-11-07 16:25 微碧半导体VBsemi 企业号