型号: RJJ0606JPD-VB 丝印: VBE2625 品牌: VBsemi 参数: TO-252; P-Channel沟道, -60V; -50A; RDS
2024-01-02 15:23 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是关于VBsemi的MOSFET产品048N12N-VB的详细信息:1. 产品简介: - 型号:048N12N-VB - 封装:TO220 - 构造:单N沟道
2024-07-02 15:31 微碧半导体VBsemi 企业号
### 170N04N-VB TO252 MOSFET 产品简介**产品简介:**VBsemi的170N04N-VB是一款高性能的单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用了先进
2024-07-08 14:45 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是VBsemi公司的MOSFET产品075N15N-VB的详细信息:1. 产品简介: 075N15N-VB是一款单N沟道(Single-N-Channe
2024-07-03 14:52 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是VBsemi公司的MOSFET产品052N04N-VB的详细信息:1. 产品简介: 052N04N-VB是一款单N沟道(Single-N-Channe
2024-07-02 16:37 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号:180N10N-VB**180N10N-VB是VBsemi公司生产的单N沟道MOSFET,采用TO252封装。该产品具有高导通电阻和高电流承载能力,适用于中高压、高电流
2024-07-08 15:13 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是VBsemi公司的MOSFET产品048N04N-VB的详细信息:1. 产品简介: 048N04N-VB是一款单N沟道(Single-N-Channe
2024-07-02 15:25 微碧半导体VBsemi 企业号
### 083N10N-VB 产品简介083N10N-VB 是一款 TO263 封装的单路 N 沟道 MOSFET,具有 100V 的漏极-源极电压(VDS)和 ±20V 的门源极电压(VGS
2024-07-03 17:02 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**088N06N-VB TO252**088N06N-VB 是 VBsemi 公司推出的一款高压 N 沟道 MOSFET,采用 TO252 封装。该产品具有高耐压能力和低导通电
2024-07-03 17:24 微碧半导体VBsemi 企业号
### 082N10N-VB 产品简介082N10N-VB 是 VBsemi 公司推出的单 N 沟道 MOSFET,采用 TO-252 封装,具有高电压和高电流处理能力,适用于需要高性能的功率转换
2024-07-03 16:59 微碧半导体VBsemi 企业号