型号: RJJ0601JPE-VB丝印: VBL2609品牌: VBsemi参数:- 封装: TO263- 沟道类型: P-Channel- 最大电压(Vds): -60V- 最大电流(Id
2024-01-03 17:04 微碧半导体VBsemi 企业号
描述HCPL-0601 光电耦合器为结合 GaAsP 发光二极管和高增益光检测器的光学耦合门器件。使能输入允许检测器可以被选通。检测器芯片输出为集电极开路肖特基箝位晶体管。检测器输出为集电极开路
2025-01-03 10:29 深圳芯领航科技有限公司 企业号
**产品简介:**RQJ0601DGDQS-VB是VBsemi品牌的P沟道场效应晶体管,具有单个P沟道。该晶体管适用于中低功率电子应用,采用SOT89-3封装,适合紧凑型电路设计。具有-60V的漏极
2024-06-14 13:54 微碧半导体VBsemi 企业号
描述 MT060X系列是单、双、四轨到轨CMOS操作放大器。这些放大器具有输入/输出全摆动、低偏移、低功率和稳定的高频响应等特点。它们的交流性能非常好,带宽为1.6MHz,0.93V/μs的旋转率和低失真,而每个放大器只需要83μA的静止电流。MT060X的温度范围很宽,从-40°C到+125°C。可使用低至2.1V(±
2023-05-09 17:58 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号
以下是VBsemi公司的MOSFET产品075N15N-VB的详细信息:1. 产品简介: 075N15N-VB是一款单N沟道(Single-N-Channe
2024-07-03 14:52 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是VBsemi公司的MOSFET产品052N04N-VB的详细信息:1. 产品简介: 052N04N-VB是一款单N沟道(Single-N-Channe
2024-07-02 16:37 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是关于VBsemi的MOSFET产品048N12N-VB的详细信息:1. 产品简介: - 型号:048N12N-VB - 封装:TO220 - 构造:单N沟道
2024-07-02 15:31 微碧半导体VBsemi 企业号
### 170N04N-VB TO252 MOSFET 产品简介**产品简介:**VBsemi的170N04N-VB是一款高性能的单N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用了先进
2024-07-08 14:45 微碧半导体VBsemi 企业号
### 60N32N3LL-VB MOSFET 产品简介60N32N3LL-VB是一款半桥N+N沟道功率MOSFET,采用DFN8(5X6)-C封装。由VBsemi采用Trench技术制造,具有低导
2024-11-15 17:29 微碧半导体VBsemi 企业号
### 083N10N-VB 产品简介083N10N-VB 是一款 TO263 封装的单路 N 沟道 MOSFET,具有 100V 的漏极-源极电压(VDS)和 ±20V 的门源极电压(VGS
2024-07-03 17:02 微碧半导体VBsemi 企业号