35W双C口方案 6-8. 1C+2A--JD6606SP5+FP6601AA(18W,20W,25W,30W)设计方案 百盛电子代理
2022-06-13 11:38 深圳市百盛新纪元半导体有限公司 企业号
(典型值),采用SOW-18(宽体)封装, 高达5000Vrms的隔离电压,适用于于驱动MOSFET、IGBT、SiC MOSFET等功率器件。BTD25350功
2023-11-30 09:42 国芯思辰(深圳)科技有限公司 企业号
1.PT32M625+NMOSFET2.有感BLDC3.DC18V,35A4.启动力矩大,运行稳定5.保护:过压、过流、欠压、过温、hall错误6.优点:MOS发热小,软硬件限流,过温降载输出
2022-08-11 15:31 深圳市瑞江无限科技有限公司 企业号