MTN3434G6-VB---**产品简介:**MTN3434G6-VB 是由 VBsemi 公司推出的 N-Channel 沟道 MOSFET。它具有优秀的性能特征,包括 30V 的漏极-源极电压
2024-06-11 15:43 微碧半导体VBsemi 企业号
VBsemi MTN3400N3-VB- 封装:SOT23- 沟道类型:N—Channel- 额定电压:30V- 额定电流:6.5A- 导通电阻:RDS(ON) = 30mΩ @ VGS = 10V
2024-04-01 16:45 微碧半导体VBsemi 企业号
MTN351AN3-VB是VBsemi品牌的N沟道场效应管,参数如下:- 封装:SOT23- 额定电压:30V- 额定电流:6.5A- 导通电阻:30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V-
2024-04-01 16:50 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、MTN4424Q8-VB 产品简介MTN4424Q8-VB 是一款高性能的 **单 N 沟道 (Single N-Channel)** MOSFET,采用 **SOP8 封装**,专为
2025-09-05 11:16 微碧半导体VBsemi 企业号
**MTN2302N3-VB 详细参数说明:**- **型号:** MTN2302N3-VB- **丝印:** VB1240- **品牌:** VBsemi- **封装:** SOT23- **沟道
2024-04-01 16:39 微碧半导体VBsemi 企业号
### MTN6680Q8-VB 产品简介MTN6680Q8-VB是一款高性能的N通道MOSFET,采用SOP8封装,专为低电压、高电流应用而设计。该器件的最高漏源电压(VDS)为30V,支持
2025-09-05 11:18 微碧半导体VBsemi 企业号
VBsemi MTN2306AN3-VB 是一款 SOT23 封装的 N-Channel 沟道场效应管。以下是详细参数和应用简介:- **参数说明:** - 工作电压(VDS
2024-04-01 16:41 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品规格说明 - MTN2300N3-VB- **丝印:** VB1240- **品牌:** VBsemi- **参数:** - 封装:SOT23 - 沟道类型:N
2024-04-01 16:38 微碧半导体VBsemi 企业号
MTN3418N3-VB 是VBsemi品牌的N沟道场效应晶体管,采用SOT23封装。以下是详细参数说明和应用简介:- 参数: - 额定电压:30V - 额定电流
2024-04-01 16:47 微碧半导体VBsemi 企业号