电子发烧友

型号：SYR<b class='flag-s-7'>828</b>PKC 品牌：矽力杰

描述SYR827/SYR828是一款高效率2.4MHz同步降压型 DC/DC 稳压器IC，能够提供高达6A输出电流。它可以在很宽的输入电压下工作电压范围为2.6V至5.5V，集成主开关和具有

2023-08-28 11:34 深圳市润泽芯电子有限公司 企业号

型号：INA<b class='flag-s-7'>828</b>IDR 品牌：

的 INA828 系列产品。 2. 主要参数   - INA828IDR 采用 8 引脚 SOIC 封装,工作电压范围为 4.5V

2024-04-08 15:04 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：ZXMN<b class='flag-s-7'>6A25K</b> 品牌：

ZXMN6A25K  产品简介DIODES 的 ZXMN6A25K这款新一代沟槽 MOSFET 具有独特的结构，结合了低导通电阻和快速开关的优点，使其成为高效电源管理应用的理想选择

2023-09-22 20:07 立年电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>K6A</b>50D-VB 品牌：微碧

### K6A50D-VB MOSFET 产品简介K6A50D-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用 TO220F 封装，专为高电压和中等电流应用而设计。该器件的漏源极电压 (VDS

2025-09-12 16:52 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：STM<b class='flag-s-7'>8S903K3T6</b>CTR 品牌：

产品基本信息:STM8S903K3T6CTR 是一款由意法半导体公司生产的 8 位 MCU 芯片。它基于先进的 STM8 架构,为广泛的嵌入式应用提供高性能和低功耗的解决方案。这款 MCU 拥有丰富

2024-04-30 10:54 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：HSEC<b class='flag-s-7'>8-125-01-S-DV-A-K</b>-TR 品牌：

HSEC8-125-01-S-DV-A-K-TRTWM889Edge Card 2x25P/0.8/VA(F) SMD HSEC8-125-Samtec U.S.A

2024-10-30 12:40 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>K6A</b>60W-VB 品牌：微碧

**K6A60W-VB MOSFET 产品简介：**K6A60W-VB 是一款高压 N 沟道 MOSFET，封装为 TO220F，专为电力开关应用而设计。其 VDS（漏极-源极电压）高达 650V

2025-09-12 17:12 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>K8A</b>60DA-VB 品牌：微碧

**K8A60DA-VB MOSFET 产品简介：**K8A60DA-VB 是一款高压 N 沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装，适用于高电压和中等电流的电力应用。其漏源电压（VDS）为

2025-09-12 18:00 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>K6A</b>45DA-VB 品牌：微碧

### 产品简介：K6A45DA-VB MOSFETK6A45DA-VB是一款高电压、高性能的单N沟道MOSFET，封装采用TO220F，专为650V高压应用而设计。其采用了平面技术（Plannar

2025-09-12 16:45 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>K6A</b>53D-VB 品牌：微碧

### K6A53D-VB MOSFET 产品简介：K6A53D-VB 是一款高性能单 N 通道 MOSFET，采用 TO220F 封装，专为高压应用设计。其具有 650V 的漏源电压（VDS

2025-09-12 16:57 微碧半导体VBsemi 企业号