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型号：MT48LC<b class='flag-s-7'>16M16A2P-6A</b>:G 品牌：

MT48LC16M16A2P-6A:G是一种高速CMOS动态随机存取存储器，包含268435456位。它内部配置为具有同步接口的四组DRAM（所有信号都记录在时钟信号CLK的正边缘

2023-02-02 13:49 深圳市泰凌微电子有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>2SK2640-01MR</b>-VB 品牌：微碧

### 2SK2640-01MR-VB 产品简介2SK2640-01MR-VB 是一款单N沟道MOSFET，具有650V的漏源电压和10A的漏极电流能力。采用TO220F封装，适用于需要中等电压

2024-07-19 14:51 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>2SK2689-01MR</b>-VB 品牌：微碧

### 2SK2689-01MR-VB 产品简介2SK2689-01MR-VB 是一款单N沟道MOSFET，具有30V的漏源电压和68A的漏极电流能力。采用TO220F封装，适用于需要低电压和高电流

2024-07-19 15:35 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>2SK3555-01MR</b>-VB 品牌：微碧

和可靠性，适用于各种电力和开关应用。2SK3555-01MR-VB 的主要特点包括250V的漏极-源极电压（VDS）、±20V的栅极-源极电压（VGS），以及40A的

2024-10-29 15:36 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>2SK2470-01MR</b>-VB 品牌：微碧

### 2SK2470-01MR-VB 产品简介2SK2470-01MR-VB 是一款单N沟道MOSFET，具有600V的漏源电压和47A的漏极电流能力。采用TO3P封装，适用于需要高电压和高电流

2024-07-18 16:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>2SK3580-01MR</b>-VB 品牌：微碧

和可靠性，适用于各种电力和开关应用。2SK3580-01MR-VB 的主要特点包括550V的漏极-源极电压（VDS）、±30V的栅极-源极电压（VGS），以及18A的

2024-10-29 16:16 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>2SK2397-01MR</b>-VB 品牌：微碧

### 2SK2397-01MR-VB 产品简介2SK2397-01MR-VB 是一款单N沟道MOSFET，具有800V的漏源电压和5A的漏极电流能力。采用TO220F封装，适用于需要高电压和中等

2024-07-18 16:03 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：PAN<b class='flag-s-7'>16-50A</b> PAN<b class='flag-s-7'>16-30A</b> PAN<b class='flag-s-7'>16-18A</b> 品牌：

供应日本菊水高可靠性电源 PAN16-50A高可靠性电源PAN16-50A概要：PAN-A系列是采用串联调节器方式的直流稳压小电流电源。对于被视为电源装置中重要因素的可靠性和安全性，该系统也进行了

2022-08-08 21:42 鸿承仪器 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>2SK3262-01MR</b>-VB 品牌：微碧

和可靠性，适用于各种电力和开关应用。2SK3262-01MR-VB 的主要特点包括200V的漏极-源极电压（VDS）、±20V的栅极-源极电压（VGS），以及20A的

2024-10-28 15:09 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>2SK2638-01MR</b>-VB 品牌：微碧

### 2SK2638-01MR-VB MOSFET 产品简介2SK2638-01MR-VB 是一款由VBsemi制造的单N沟道MOSFET，采用TO220F封装。该器件适用于中功率应用，具有较高

2024-07-19 14:50 微碧半导体VBsemi 企业号