电子发烧友

型号： 品牌：

) (V) 47 RDS(ON) (HS + LS) (mOhms) 0 Sleep current (uA) 14 Control mo

2022-12-14 14:42 华秋商城 企业号

型号：3N45K3-VB TO251 品牌：微碧

for applications requiring robust power management. Encapsulated in a TO251 package, this mo

2024-11-07 16:15 微碧半导体VBsemi 企业号

型号： 品牌：

(Min) (V) 2.5 IN1, IN2 input voltage (Max) (V) 12 IN1 rDS(on) (Typ) (mO

2022-12-22 15:03 华秋商城 企业号

型号：TPD2005F 品牌：

。 TTL 逻辑电路（如 MPU）的功率负载。它具有  过流和过温保护功能。 特点 高压侧开关阵列包含一个 N 沟道功率 MO

2025-02-07 17:28 深圳市点面线科技有限公司 企业号

型号：18N50H-VB TO220F 品牌：微碧

（Plannar）技术，具有低导通电阻和高可靠性，适用于高压功率电子应用。### 详细参数说明：- **封装：** TO220F- **器件类型：** 单N沟道MO

2024-07-08 15:39 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：TPC6007-H-VB 品牌：微碧

MOSFET。该器件具备高达 30V 的漏源电压和 6A 的连续漏极电流能力。其典型导通电阻为 30mΩ@VGS=10V，具有低导通损耗和快速开关速度的特点。该 MO

2024-06-17 14:34 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：E3M0016120K 品牌：

且防潮的 MOSFET，扩大了其在碳化硅领域的领导地位。它采用 Wolfspeed 的第三代坚固耐用技术，提供业界最低的开关损耗和最高的品质因数。E 系列 MO

2023-07-24 14:03 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：18NM60N-VB TO263 品牌：微碧

SJ_Multi-EPI技术，具有低导通电阻和高可靠性，适用于高压功率电子应用。### 详细参数说明：- **封装：** TO263- **器件类型：** 单N沟道MO

2024-07-08 16:19 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：UF3SC120016K4S 品牌：

MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MO

2023-05-12 14:59 立年电子科技 企业号

型号：UF3SC120016K3S 品牌：

MOSFET 共同封装以产生常关 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性允许使用现成的栅极驱动器，因此在更换 Si IGBT、Si 超级结器件或 SiC MO

2023-05-12 14:53 立年电子科技 企业号