### 一、MI4724-VB 产品简介 MI4724-VB 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET，采用 SOP8 封装，专为高效率开关应用而设计。该器件的额定漏极源极电压 (VDS
2025-09-05 10:03 微碧半导体VBsemi 企业号
TTM Technologies 的 E200N50X4 是一款端接器，频率 DC 至 2.2 GHz、功率 200 W、回波损耗 20 dB、工作温度 -50 至 200 摄氏度。标签
2023-08-17 15:56 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### MI4718-VB 产品简介MI4718-VB 是一款高性能的单N通道 MOSFET，采用 SOP8 封装，具有出色的电气性能，适合多种电子应用。该 MOSFET 的最大漏极-源极电压
2025-09-05 10:00 微碧半导体VBsemi 企业号
一、MI4422-VB 产品简介MI4422-VB 是一款 单 N 沟道 MOSFET，采用 SOP8 封装，专为高效开关和功率管理应用而设计。该器件的 漏源电压 (VDS) 达到 30V，能够承受
2025-09-04 17:57 微碧半导体VBsemi 企业号
### MI4404-VB 产品简介MI4404-VB 是一款高效单 N-Channel MOSFET，采用 SOP8 封装，专为低压应用设计。该器件的漏极至源极电压（VDS）为 30V，栅源电压
2025-09-04 17:42 微碧半导体VBsemi 企业号
MI3470-VB 丝印: VB1330 品牌: VBsemi**详细参数说明：**- 封装类型：SOT23- 沟道类型：N—Channel- 最大漏极电压：30V- 最大漏极电流：6.5A- 静态
2024-03-22 15:59 微碧半导体VBsemi 企业号
### MI4466-VB 产品简介 MI4466-VB 是一款高性能的单 N 通道 MOSFET，采用 SOP8 封装，专为高效能应用设计。该器件具有最大漏源电压为 30V，支持
2025-09-05 09:54 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、**MI4406-VB 产品简介** MI4406-VB 是一款 **单N沟道MOSFET**，采用 **SOP8 封装**，专为高效能电源管理和开关应用设计。该器件支持最大
2025-09-04 17:44 微碧半导体VBsemi 企业号
MI3135-VB---**产品简介：**MI3135-VB 是由 VBsemi 公司推出的 P-Channel 沟道 MOSFET。其主要特点包括 -30V 的漏极-源极电压承受能力，-5.8A
2024-06-11 15:09 微碧半导体VBsemi 企业号
MI413-VB是VBsemi生产的P—Channel沟道功率场效应晶体管型号。以下是该型号的产品简介和详细参数说明：### 产品简介：MI413-VB是一款高性能P—Channel沟道功率
2024-06-11 15:10 微碧半导体VBsemi 企业号
