,其阈值电压为-0.6~-2V。封装采用SOT89-3。**产品简介:**MI3131-VB是一款高性能的P-Channel场效应管,专为要求高耐压和低电阻的应用
2024-06-11 15:07 微碧半导体VBsemi 企业号
MI3135-VB---**产品简介:**MI3135-VB 是由 VBsemi 公司推出的 P-Channel 沟道 MOSFET。其主要特点包括 -30V 的漏极-源极电压承受能力,-5.8A
2024-06-11 15:09 微碧半导体VBsemi 企业号
MI413-VB是VBsemi生产的P—Channel沟道功率场效应晶体管型号。以下是该型号的产品简介和详细参数说明:### 产品简介:MI413-VB是一款高性能P—Channel沟道功率
2024-06-11 15:10 微碧半导体VBsemi 企业号
RDS(ON)为50mΩ@VGS=10V时的低导通电阻。阈值电压(Vth)范围为-0.6到-2V。以下是该产品的详细参数说明:- **型号:** MI3105-V
2024-06-11 15:06 微碧半导体VBsemi 企业号
MI3101-VB是一款由VBsemi生产的P-Channel沟道场效应晶体管。以下是该型号的产品简介详述和详细的参数说明:### 产品简介详述:MI3101-VB是一款功率P-Channel
2024-06-11 15:04 微碧半导体VBsemi 企业号