### 一、**MI10N03-VB 产品简介** MI10N03-VB 是一款 **单N沟道MOSFET**,采用 **TO252 封装**,专为高电流处理和高效电源管理设计。该器件
2025-10-11 16:44 微碧半导体VBsemi 企业号
MI413-VB是VBsemi生产的P—Channel沟道功率场效应晶体管型号。以下是该型号的产品简介和详细参数说明:### 产品简介:MI413-VB是一款高性能P—Channel沟道功率
2024-06-11 15:10 微碧半导体VBsemi 企业号
漏极-源极电阻 (RDS(ON)):30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 门极阈值电压 (Vth):1.2~2.2V**应用简介:**MI3470-V
2024-03-22 15:59 微碧半导体VBsemi 企业号
MI3135-VB---**产品简介:**MI3135-VB 是由 VBsemi 公司推出的 P-Channel 沟道 MOSFET。其主要特点包括 -30V 的漏极-源极电压承受能力,-5.8A
2024-06-11 15:09 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、MI4724-VB 产品简介 MI4724-VB 是一款高性能的单 N 沟道 MOSFET,采用 SOP8 封装,专为高效率开关应用而设计。该器件的额定漏极源极电压 (VDS
2025-09-05 10:03 微碧半导体VBsemi 企业号
RDS(ON)为50mΩ@VGS=10V时的低导通电阻。阈值电压(Vth)范围为-0.6到-2V。以下是该产品的详细参数说明:- **型号:** MI3105-V
2024-06-11 15:06 微碧半导体VBsemi 企业号
通电阻:35mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压:-1.5V封装:SOP8 详细参数说明:MI4807-VB是一款P-Channel
2024-03-22 16:23 微碧半导体VBsemi 企业号
**型号:** MI4825-VB**丝印:** VBA2311**品牌:** VBsemi**参数:**- **沟道类型:** P—Channel- **最大电压:** -30V- **最大电流
2024-03-22 16:24 微碧半导体VBsemi 企业号
开通电阻(RDS(ON)): 85mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压(Vth): 1~3V**应用简介:**MI3461-VB是一款N-Cha
2024-03-22 15:57 微碧半导体VBsemi 企业号