Qorvo 的 CMD262 是一款 5 W GaN MMIC 功率放大器芯片，非常适合需要高功率和高线性度的 Ka 波段通信系统。该器件提供大于 26 dB 的增益，相应的输出 1 dB 压缩
2022-11-02 11:36 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 产品简介`045N10N-VB TO262` 是一种高性能的单N沟道MOSFET，采用TO262封装技术。该产品以低导通电阻和高电流处理能力为特点，适用于各种高效电力转换和管理
2024-07-02 15:16 微碧半导体VBsemi 企业号
### AOB262L-VB 产品简介AOB262L-VB 是一款单 N-Channel MOSFET，采用 TO263 封装，设计用于高电压和高电流的应用场合。它采用先进的 Trench 技术
2024-12-05 15:02 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**B140NF55-VB** 是一款单极N沟道MOSFET，封装形式为TO262。采用Trench技术，具有极低的导通电阻和超高的电流承载能力。这款MOSFET设计用于要求高电流
2025-01-07 11:16 微碧半导体VBsemi 企业号
Custom MMIC 的 CMD262 是一款 5 W GaN MMIC 功率放大器，工作频率为 26 至 28 GHz（K，Ka 波段）。该功率放大器芯片提供超过 26 dB 的增益、+37.5
2022-10-11 09:35 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
OP162（单通道）、OP262（双通道）和OP462（四通道）轨到轨15 MHz放大器具有新设计所需的超快速特性，以及精度和低功耗优势。这些器件具有极低的失调电压（典型值为45 µV）和低噪声
2023-02-07 15:50 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
以下是关于VBsemi的MOSFET产品076N12N-VB的详细信息：1. 产品简介： - 型号：076N12N-VB - 封装：TO262 - 构造：单N沟道
2024-07-03 14:58 微碧半导体VBsemi 企业号
VBsemi的086N10N-VB是一款TO262封装的单N沟道MOSFET。它具有100V的漏极-源极电压（VDS）、20V的栅极-源极电压（VGS，±V）、2.5V的阈值电压（Vth）、在VGS
2024-07-03 17:16 微碧半导体VBsemi 企业号
、DC-DC转换器、电机控制等应用。**详细参数说明：**- **型号：** 057N08N-VB- **封装：** TO262- **配置：** 单N沟道- **
2024-07-02 17:12 微碧半导体VBsemi 企业号
