### 产品简介LR8729-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用先进的沟槽(Trench)技术,封装在TO252外壳中。该器件的最大漏源电压(VDS)为30V,适用于低电压应用,同时栅源
2025-10-11 10:40 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、产品简介**IRLR8729TRPBF-VB** 是一款高性能N沟道MOSFET,采用TO252封装,适用于各种低压、高电流应用。其最大漏源电压(VDS)为30V,栅极驱动电压范围为
2025-09-26 17:08 微碧半导体VBsemi 企业号