LTC®7821 采用了一种把软开关充电泵拓扑与一个同步降压型转换器相结合的专有架构，以提供比传统开关架构更胜一筹的效率和EMI性能。在典型的48V至12V转换应用中，当LTC7821的开关频率为
2023-06-05 13:39 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 1. 产品简介：IRLR7821TRPBF-VB 是一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 TO252 封装，使用先进的 Trench 技术。它具备 30V 的漏极-源极耐压（VDS
2025-09-26 16:11 微碧半导体VBsemi 企业号
### STM7821-VB MOSFET 产品简介**STM7821-VB** 是一款高性能的 **单 N 通道 MOSFET**，采用 **SOP8 封装**，专为低电压、高效能应用设计。该
2025-09-08 16:10 微碧半导体VBsemi 企业号
### IRF7821UTRPBF-VB MOSFET 产品简介**IRF7821UTRPBF-VB** 是一款高性能的N沟道功率MOSFET，采用**SOP8**封装设计。该MOSFET 专为高
2025-09-04 14:20 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、LR7821C-VB 产品简介LR7821C-VB 是一款高效的单N沟道MOSFET，采用先进的沟槽（Trench）技术，专为中等电压和高电流应用而设计。该器件的最大漏源电压（VDS）为
2025-10-11 09:39 微碧半导体VBsemi 企业号
### IRLR7821CTRPBF-VB MOSFET 产品简介IRLR7821CTRPBF-VB 是一款高性能N沟道功率MOSFET，采用TO252封装，专为低电压和高电流应用设计。其漏源极电压
2025-09-26 16:06 微碧半导体VBsemi 企业号
AD7821 是一款高速、8 位采样模数转换器，性能优于流行的AD7820.它的转换时间为 660 ns（AD7820 为 1.36 μs）和 100 kHz 信号带宽（为 6.4 kHz）。采样
2025-03-07 11:37 深圳芯领航科技有限公司 企业号
**产品简介** LR7821-VB 是一款高效能的单N沟道功率MOSFET，采用 TO252 封装，专为低电压高电流应用设计。该器件的漏源电压（VDS）为30V，栅源电压（VGS）范围
2025-10-11 09:41 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品简介：**IRFR7821CTRPBF-VB 是一款采用 TO252 封装的单 N 沟道 MOSFET，适用于需要高电流和低导通电阻的应用场合。该 MOSFET 具有 30V 的漏源电压
2025-09-25 16:57 微碧半导体VBsemi 企业号
ADA4939-2LT6604-10LT6604-15LT6604-2.5LT6604-5LTC6400-14LTC6400-20LTC6400-8LTC6405LTC6421-20LTC6420-20AD8372ADA4937-2ADA4938-1ADA4938-2LTC6401-8LTC640
2022-11-22 11:50 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
