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型号：QPD<b class='flag-s-7'>1018</b> 品牌：

Qorvo 的 QPD1018 是一款射频晶体管，频率为 2.7 至 3.1 GHz，功率 56.99 dBm，功率(W) 500.03 W，饱和功率 57.6 dBm，Duty_Cycle 0.1

2022-10-18 09:45 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：HMC<b class='flag-s-7'>1018</b>ALP4E 品牌：

如需咨询请点击左侧关于页面，然后电联（ 切记不要留言 不要留言 留言 留言看不到无法沟通）HMC1018ALP4E 产品概述HMC1018ALP4E 是一款高性能的宽带射频放大器，由知名的射频和微波

2024-10-15 20:05 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：LT<b class='flag-s-7'>1018</b> 品牌：

LT®1017/LT1018 是通用型微功率比较器。LT1017 专为实现极低的工作功耗而优化，而 LT1018 则以较高的功率和较高的速度运作。这两款器件均可在单节 1.1V 电池至高达 40V

2023-06-28 17:38 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：QPD<b class='flag-s-7'>1018</b> 品牌：

QPD1018 产品简介Qorvo 的 QPD1018 是一款 500 W (P3dB) 内部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 2.7 至 3.1 GHz

2023-05-10 11:40 立年电子科技 企业号

型号：DMC<b class='flag-s-7'>1018</b>UPD 品牌：

DMC1018UPD 产品简介DIODES 的 DMC1018UPD  这款新一代互补对增强模式 MOSFET 旨在最大限度地降低 R DS(ON)，同时保持卓越的开关性能。该

2023-06-25 16:00 立年电子科技 企业号

型号：D<b class='flag-s-7'>1018</b>UK 品牌：

D1018UK是TT Electronics镀金多用途硅 DMOS RF FET。 简化的放大器设计,适用于宽带应用,低温 RSS,1GHz 的有用 PO,低噪声,高增益 – 最小 12

2022-06-22 22:21 立年电子科技 企业号

型号：AUIRFR<b class='flag-s-7'>1018</b>E-VB 品牌：微碧

### AUIRFR1018E-VB 产品简介AUIRFR1018E-VB 是一款高性能N沟道MOSFET，封装为TO252，专为高电流和高电压应用设计。该MOSFET 采用先进的沟槽（Trench

2025-01-04 16:31 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AUIRFR<b class='flag-s-7'>1018</b>ETRR-VB 品牌：微碧

### 产品简介AUIRFR1018ETRR-VB 是一款高电流、高电压承载能力的N沟道MOSFET，采用TO252封装。它适用于需要高效能和高功率处理的应用，支持最高60V的漏源电压（VDS

2025-01-04 16:30 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：DMC<b class='flag-s-7'>1018</b>UPDWQ 品牌：

DMC1018UPDWQ 产品简介DIODES 的 DMC1018UPDWQ 这种MOSFET设计用于满足汽车应用。它符合AEC-Q101标准，由PPAP，非常适合用于：电机控制电源管理

2023-06-25 16:31 立年电子科技 企业号

型号：PHN<b class='flag-s-7'>1018</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介PHN1018-VB是一款高效的单N通道MOSFET，采用SOP8封装，设计用于低电压和高电流应用。该器件具备30V的漏源电压（VDS），并且能够在±20V的栅源电压（VGS）下稳定

2025-09-05 15:02 微碧半导体VBsemi 企业号