参数表节选:的技术参数 WCS3B-LS221DH产品阐述 读头,RS-485 接口,带 RS-485 终端电阻通用规格通过速度≤ 12,5 m/s测量范围最大 314,5 m
2022-10-14 13:21 上海冠宁科技发展有限公司 企业号
### 080P03LS-VB MOSFET产品简介**080P03LS-VB**是一款高性能单P沟道MOSFET,采用DFN8(5X6)封装,具备-30V的漏源极电压(VDS)和±20V的栅源极
2024-07-03 16:50 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介BSC090N03LS-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用Trench技术,封装为SOP8。该MOSFET支持高达30V的漏源电压,并能承受最大13A的漏极电流。其低导通电
2025-01-08 17:08 微碧半导体VBsemi 企业号
出色的电气性能。在最大漏源电压30V下,BSC090N03LS G-VB能够承受高达80A的漏极电流,提供低至7mΩ的导通电阻(在VGS=10V时)。这种高效的特性
2025-01-08 17:07 微碧半导体VBsemi 企业号
### BSC200P03LS G-VB MOSFET 产品简介BSC200P03LS G-VB 是一款高性能单P通道MOSFET,封装在DFN8(5x6)外壳中。这款MOSFET 专为需要高电流
2025-01-08 17:42 微碧半导体VBsemi 企业号
### BSC130P03LS G-VB MOSFET 产品简介BSC130P03LS G-VB 是一款高性能单P沟道功率MOSFET,采用Trench技术,并封装在DFN8 (5x6) 外壳中
2025-01-08 17:33 微碧半导体VBsemi 企业号