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型号：<b class='flag-s-7'>LR</b>8101\<b class='flag-s-7'>LR</b>8102 品牌：日置

品名数据采集仪LR8102数据采集仪LR8101可连接模块参照【选件】 > 【测量模块】最多可连接模块个数10个最多可同步主机台数10台（需要光连接线） 无法

2024-09-05 10:08 深圳市日图科技有限公司 企业号

型号：WS7802<b class='flag-s-7'>LR</b> 品牌：

WS7802LR型号简介      WS7802LR是WILLSEMI/OmniVision推出的一款单极双掷(SPDT)天线开关，专为3G/4G路由和多样性

2024-07-29 15:19 立年电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>LR</b>2705-VB 品牌：微碧

### 产品简介LR2705-VB是VBsemi公司推出的N沟道场效应管。该器件具有60V的最大耐压、45A的最大电流以及低导通电阻，适用于各种需要高电压和高电流驱动的功率控制和开关应用。其

2024-06-11 14:24 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>LR</b>8259-VB 品牌：微碧

### LR8259-VB 产品简介LR8259-VB 是一款由LR Microelectronics 生产的高性能N沟道MOSFET，采用TO-252封装，专为大电流和高效能应用设计。该器件具有

2025-10-11 10:23 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>LR</b>120N-VB 品牌：微碧

根据提供的型号和参数，以下是对该 MOSFET 型号 LR120N-VB 的详细参数和应用简介：**型号：** LR120N-VB**丝印：** VBE1101M**品牌：** VBsemi**参数

2023-12-18 11:22 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>LR</b>3915-VB 品牌：微碧

### 一、LR3915-VB 产品简介  LR3915-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用TO252封装，专为中等电压应用设计。其漏极-源极耐压（VDS）为60V，适合于要求

2025-10-10 17:43 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>LR</b>3140-VB 品牌：微碧

### LR3140-VB MOSFET 产品简介LR3140-VB 是一款高效能的单N沟道MOSFET，采用TO252封装，专为中高电压和电流应用设计。这款MOSFET的漏源极电压（VDS）最高

2025-10-10 16:58 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>LR</b>4343-VB 品牌：微碧

以下是对型号LR4343-VB的产品详细说明：### 产品简介LR4343-VB是VBsemi生产的N沟道场效应管。作为一款高性能的功率场效应管，它适用于各种电源管理、开关和线性应用。### 详细

2024-06-11 14:29 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>LR</b>110ATF-VB 品牌：微碧

### LR110ATF-VB MOSFET 产品简介LR110ATF-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用TO252封装设计，专为中等电压和电流应用而设计。该器件的漏源极电压（VDS

2025-10-10 15:48 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>LR</b>7833-VB 品牌：微碧

### 一、LR7833-VB 产品简介  LR7833-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用TO252封装，专为低至中等电压应用设计。其漏极-源极耐压（VDS）为30V，适合

2025-10-11 09:45 微碧半导体VBsemi 企业号