LM199 / LM399 高精度并联基准在很宽的电压、温度和工作电流范围内拥有卓越的温度稳定性。一个稳定加热器和有源齐纳二极管一起整合在一个单片式衬底上，从而几乎消除了电压随温度而发生
2023-06-27 15:27 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### 2SJ399S-VB MOSFET 产品简介2SJ399S-VB 是一款单 P-Channel MOSFET，采用 TO251 封装。具有低电压和高电流的特性，适用于需要处理低电压和高电流
2024-07-15 14:36 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**型号：5R399P-VB**5R399P-VB 是一款高压单N沟道功率MOSFET，采用Plannar技术，具备优秀的电气特性和可靠性。该型号适用于需要高电压和中等电流承载能力
2024-11-15 16:37 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**5R399P-VB TO252**是一款高性能单N沟道功率MOSFET，设计用于中高电压和中等电流的应用场合。采用TO252封装，具有优良的功率处理能力和稳定性，适用于各种功率
2024-11-15 16:44 微碧半导体VBsemi 企业号
可调谐DFB窄线宽半导体激光器LM可调谐DFB窄线宽半导体激光器LM是一款无故障激光模块，将DFB半导体激光二极管，低噪声电流源和温度控制器组合在一起，成为一个封装。LM的紧凑尺寸不会牺牲功率-
2023-03-21 14:14 上海屹持光电技术有限公司 企业号
### 产品简介**型号：** 5R399P-VB TO247 **封装：** TO247 **配置：** 单N沟道 **VDS：** 500V
2024-11-15 16:41 微碧半导体VBsemi 企业号
特点 LM339B 和 LM2901B 器件是业界通用 LM339 和 LM2901 比较器系列的下一代版本。下一代 B 版本比 较器具有更低的失调电压、更高
2025-02-14 11:41 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
LM4050/LM4051是精密的二端、并联模式、带隙电压基准，具有多种固定反向击穿电压：1.225V、2.048V、2.500V、3.000V、3.3V、4.096V和5.000V。LM
2023-06-27 14:05 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
LM97937EVM 开发板详解在现代电子设计中，模数转换器（ADC）和信号处理器是实现高性能信号采集的关键组件。Texas Instruments（TI）推出的 LM97937EVM 开发板是一款
2024-10-12 11:26 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
特点LM358B 和 LM2904B 器件是行业标准运算放大器 LM358 和 LM2904 的下一代版本，其中包括两个高压 ( 36V ) 运算放大器。这些器件为成本
2024-05-07 15:35 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
