### 一、4N03LH0-VB 产品简介4N03LH0-VB是一款双N沟道MOSFET,采用TO263-7L封装。它具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于需要高功率密度和高效率的电子电路设计。采用
2024-11-12 15:13 微碧半导体VBsemi 企业号
下面是关于155N3LH6-VB MOSFET产品的详细信息和应用领域说明:### 155N3LH6-VB 产品简介**型号**: 155N3LH6-VB **封装类型**: TO252
2024-07-06 16:05 微碧半导体VBsemi 企业号
### 95N2LH5-VB MOSFET#### 一、产品简介95N2LH5-VB 是一款单 N 沟道功率 MOSFET,采用 TO220 封装。该器件具有 30V 的漏源电压(VDS),最大栅源
2024-11-25 15:04 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、40N2LH5-VB 产品简介40N2LH5-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装。该产品具有30V的漏源极电压(VDS),20V的栅源极电压(VGS),1.7V的阈值电压
2024-11-07 17:57 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、86N3LH5-VB型号的产品简介86N3LH5-VB是一款单N沟道功率MOSFET,采用Trench技术制造,旨在提供高电流承载能力和低导通电阻。其封装为TO252,适合在需要
2024-11-22 15:31 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**60N3LH5-VB** 是一款单N沟道功率MOSFET,采用TO220封装,设计用于中低压应用场合。具有30V的击穿电压和高达70A的连续漏极电流能力,结合了Trench技术
2024-11-15 17:31 微碧半导体VBsemi 企业号
### 95N2LH5-VB MOSFET 产品简介#### 产品简介95N2LH5-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用先进的沟槽技术(Trench),封装为TO252。该器件适用于需要正向电压
2024-11-25 15:06 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、60N3LH5-VB产品简介60N3LH5-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO252封装,由VBsemi生产。该器件适用于低压高电流应用,具备30V的漏源电压和高达80A的最大漏极
2024-11-16 09:59 微碧半导体VBsemi 企业号
### 900N15N-VB MOSFET 产品简介900N15N-VB是一款单N沟道MOSFET,采用DFN8(3X3)封装,适合于紧凑空间的电子设备和电路板。它具有高漏源电压、低导通电阻和高电流
2024-11-22 17:26 微碧半导体VBsemi 企业号
好的,我会根据提供的信息生成该型号的产品简介、详细的参数说明,并举例说明该产品适用的领域和模块。### 155N3LH6-VB 产品简介155N3LH6-VB 是一款采用 TO263 封装的单 N
2024-07-06 16:06 微碧半导体VBsemi 企业号