### K5A55D-VB 产品简介K5A55D-VB 是一款高性能的单N通道MOSFET，采用TO220F封装，具有650V的高耐压特性和30V的栅源电压范围。它的阈值电压（Vth）为3.5V
2025-09-12 16:22 微碧半导体VBsemi 企业号
**K7A55D-VB MOSFET 产品简介：**K7A55D-VB 是一款高压 N 沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装，专为需要高电压和可靠性的电力应用而设计。其 VDS（漏极-源极
2025-09-12 17:26 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、K11A55D产品简介K11A55D是一款高性能单N沟道MOSFET，设计用于高压电力应用。它采用TO220F封装，具有650V的最大漏源极电压（VDS），非常适合在高电压和高功率的电路
2025-09-10 15:15 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品简介：**K4A55D-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用TO220F封装，旨在满足高压应用的需求。该MOSFET具有650V的击穿电压，适合用于高压电源和开关电路
2025-09-12 15:42 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介：K4P55D-VB MOSFETK4P55D-VB是一款高性能单N沟道MOSFET，采用TO252封装，专为高电压应用设计。其最大漏源电压（VDS）为650V，能够承受高达5A的导
2025-10-09 17:39 微碧半导体VBsemi 企业号
54.2 至 55 dBm、功率增益 (Gp) 15 至 16 dB。标签：法兰。SGN26C320I2D 的更多详细信息见下文。产品规格产品详情零件号SGN2
2022-09-09 10:29 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
54.2 至 55 dBm、功率增益 (Gp) 17 至 18 dB。标签：法兰。SGN19C320I2D 的更多详细信息见下文。产品规格产品详情零件号SGN1
2022-09-09 11:05 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
功率 54.2 至 55 dBm，功率增益 (Gp) 16.5 至 17.5 dB。标签：法兰。SGN21C320I2D 的更多详细信息见下文。产品规格产品详情零件
2022-09-09 10:45 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
极-源极电阻(RDS(ON)): 30mΩ @ VGS=10V, VGS=20V- 阈值电压(Vth): 1.2~2.2V**应用简介：**SSM3K320T-V
2024-04-09 11:42 微碧半导体VBsemi 企业号
**一、产品简介：**K10A55D-VB 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，采用 TO220F 封装，专为高压应用设计。其最大漏源电压 (VDS) 达到 650V，栅源电压 (VGS
2025-09-10 14:35 微碧半导体VBsemi 企业号
