参数表节选:的技术参数 OBT100-R100-2EP-IO-L产品阐述 带可调节背景抑制功能的激光漫反射型光电传感器通用规格检测距离7 ... 100 mm最小检测范围7
2022-11-15 13:34 上海冠宁科技发展有限公司 企业号
中科君芯JFG105N100L 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 是一种电子元件,主要用于电子设备的功率控制。其工作原理基于增强型
2025-06-06 10:31 深圳市泰凌微电子有限公司 企业号
型号:UT100N03L-VB丝印:VBM1303品牌:VBsemi详细参数说明:- 类型:N沟道MOSFET- 额定电压(Vds):30V- 额定电流(Id):120A- 导通电阻(RDS
2023-12-13 15:30 微碧半导体VBsemi 企业号
### 100N06L-VB 产品简介:100N06L-VB 是一款单通道 N 沟道 MOSFET,封装为 DFN8(3X3)。该器件具有 60V 的漏极-源极电压(VDS),20V 的栅极-源极
2024-07-04 15:14 微碧半导体VBsemi 企业号
特点⚫ HC32L170/HC32L176 系列具有灵活的 功耗管理系统,超低功耗性能 – 0.6μA @ 3V 深度休眠模式:所有时钟 关闭,上电复位有效,IO 状态保持, IO 中断有效,所有
2024-06-21 14:23 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号
特点⚫ 48MHz Cortex-M0+ 32 位 CPU 平台 ⚫ HC32L190/HC32L196 系列具有灵活的 功耗管理系统,超低功耗性能 – 0.6μA @ 3V 深度休眠模式:所有
2024-06-20 15:01 深圳市宏源世纪科技有限公司 企业号