深圳市港禾科技有限公司 产品描述NSG65N15K是纳芯微推出的系统级Power Stage产品，内部集成了半桥驱动器NSD2621和两颗耐压650V、导阻电阻150mΩ的GaN开关管
2023-12-21 14:24 深圳市港禾科技有限公司 企业号
### 产品简介**型号：5N65K-VB**5N65K-VB 是一款高压单N沟道功率MOSFET，采用Plannar工艺，具备稳定的性能和可靠的操作特性。该型号适用于各种需要高电压和中等导通电
2024-11-14 16:22 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介4N65K-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装，具有高压承受能力和稳定的性能特征，适用于要求高电压和可靠性的应用场合。### 详细参数
2024-11-13 15:15 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品简介：**VBsemi的10N65K-VB是一款TO220F封装的单N沟道MOSFET，具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，±V），3.5V的阈值电压
2024-07-04 17:42 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介6N65K3-VB 是一款高性能单通道 N 型 MOSFET，采用 TO220F 封装。此型号具有出色的电压承受能力和低导通电阻，非常适用于高电压、高电流的应用环境。它具有650V
2024-11-18 16:02 微碧半导体VBsemi 企业号
### 1. 产品简介VBsemi的10N65K3-VB是一款单N沟道MOSFET，采用TO220F封装。它具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS），和3.5V
2024-07-04 17:37 微碧半导体VBsemi 企业号
450 MHz。ART2K0PEG特点和优点高击穿电压可实现高达 V DS = 53 V的 E 类操作最高可达 V DS = 65 V特点为 30 V 至 65
2024-02-29 21:02 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
450 MHz。ART2K0PE 特点和优点高击穿电压可实现高达 V DS = 53 V的 E 类操作最高可达 V DS = 65 V特点为 30 V 至 65
2024-02-29 21:03 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品简介6N65K3-VB 是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，封装类型为TO251。该器件具有高击穿电压（650V）和较高的导通电流（5A），非常适用于高压应用。其采用
2024-11-18 16:05 微碧半导体VBsemi 企业号
K261 和 V261 是 Anritsu 公司生产的超宽频率带宽偏置器，主要用于光通信、高速脉冲、数据传输及微波应用。以下是它们的主要参数和特点：### 参数| 参数 | K261 | V261
2025-05-29 15:46 深圳市立维创展科技有限公司 企业号
