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型号：NCE<b class='flag-s-7'>65T1K2K</b>-VB 品牌：微碧

### 一、NCE65T1K2K-VB 产品简介  NCE65T1K2K-VB 是一款 **单 N-沟道 MOSFET**，采用 **TO252 封装**，支持高压、高可靠性应用。该器件

2025-10-14 11:39 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>K3A65</b>D-VB 品牌：微碧

### 一、K3A65D-VB 产品简介K3A65D-VB 是一款高压单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装，专为要求较高耐压和稳健性能的应用设计。该器件的漏源电压 (VDS) 可高达

2025-09-12 11:23 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：NSG<b class='flag-s-7'>65N15K</b>-DQAFR 品牌：

深圳市港禾科技有限公司 产品描述NSG65N15K是纳芯微推出的系统级Power Stage产品，内部集成了半桥驱动器NSD2621和两颗耐压650V、导阻电阻150mΩ的GaN开关管

2023-12-21 14:24 深圳市港禾科技有限公司 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>K11A65</b>D-VB 品牌：微碧

### 一、K11A65D-VB 产品简介K11A65D-VB 是一款高电压单 N-沟道 MOSFET，专为高效能电源管理和控制应用而设计。该器件具有最高漏源极电压 (VDS) 达650V，适用于

2025-09-10 15:19 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：NCE<b class='flag-s-7'>65R540K</b>-VB 品牌：微碧

### 一、NCE65R540K-VB 产品简介  NCE65R540K-VB 是一款高压单 N 通道 MOSFET，采用 **TO252** 封装，专为高电压电力电子应用设计。该器件能够

2025-10-14 11:35 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：NCE<b class='flag-s-7'>65R360K</b>-VB 品牌：微碧

### 一、NCE65R360K-VB 产品简介NCE65R360K-VB 是一款高电压、高性能的 **单N沟道 MOSFET**，采用 **TO252** 封装，特别适合用于高压电力转换和开关

2025-10-14 11:33 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>K5A65</b>DA-VB 品牌：微碧

### 一、产品简介K5A65DA-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET，采用 TO220F 封装，设计用于高电压和中等电流应用。该器件的漏源极电压 (VDS) 高达 650V，栅极电压范围为

2025-09-12 16:38 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：4N<b class='flag-s-7'>65K</b>-VB 品牌：微碧

### 产品简介4N65K-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，采用 TO220F 封装，具有高压承受能力和稳定的性能特征，适用于要求高电压和可靠性的应用场合。### 详细参数

2024-11-13 15:15 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：NCE<b class='flag-s-7'>65T540K</b>-VB 品牌：微碧

### 一、NCE65T540K-VB 产品简介  NCE65T540K-VB 是一款采用 **TO-252 封装**的 **单N沟道MOSFET**。该器件具备高耐压和低导通电阻的特点

2025-10-14 11:44 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>K5A65</b>D-VB 品牌：微碧

### K5A65D-VB MOSFET 产品简介：**K5A65D-VB** 是一款高压单N沟道MOSFET，采用TO220F封装，专为高压开关应用而设计，适用于高效的功率管理系统。它的**漏源

2025-09-12 16:40 微碧半导体VBsemi 企业号