以太⽹供电（PoE）测试套装型号(K30, K60, K61)•PoE 电源类型探测•90W带载测试•识别PoE线对• 持续负载监测tPro CV100
2023-10-07 09:45 AEM TESTPRO测试仪 企业号
60 kW 三相交错式 LLC DC-DC 转换器 (CRD-60DD12N-K) 是之前 30 kW 设计 (CRD-30DD12N-K) 功率水平的两倍，面向高功率密度、高效率快速充电器应用并
2023-08-01 17:40 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
型号： NCE60P25K-VB丝印： VBE2658品牌：VBsemi参数说明：- 沟道类型：P沟道- 额定电压：-60V- 额定电流：-22A- 导通电阻：48mΩ@10V, 57m
2023-12-13 13:59 微碧半导体VBsemi 企业号
**产品简介** K60S06K3L-VB 是一款采用 TO252 封装的单N沟道MOSFET，设计用于各种高效能电源和开关应用。其主要特点是耐压能力为60V，具有较高的额定电流能力
2025-10-09 17:56 微碧半导体VBsemi 企业号
以下是**NCE60P50K-VB**单P通道MOSFET的产品简介、参数说明以及应用示例： ---### **一、产品简介** NCE60P50K-VB是一款高效能的单P
2025-10-14 11:20 微碧半导体VBsemi 企业号
TTM Technologies 的 X4C60K1-20S 是一款定向耦合器，频率为 4.4 至 6.5 GHz，耦合 20 dB，耦合变化 ±1 dB，频率灵敏度 ±0.15 至
2023-08-16 10:28 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
### NCE60P12K-VB 产品简介NCE60P12K-VB 是一款高效能的单P通道MOSFET，采用TO252封装，旨在提供优异的功率效率与性能。该器件的最大漏源电压（VDS）为-60
2025-10-14 11:15 微碧半导体VBsemi 企业号
### **SW6N60K-VB MOSFET 产品简介**SW6N60K-VB 是一款高压单N通道MOSFET，采用TO220F封装，具有650V的漏源电压（VDS），非常适用于需要高电压控制
2025-09-19 14:04 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介 NCE60R1K2K-VB 是一款高压单 N 通道 MOSFET，采用 TO252 封装，专为要求高电压和中等电流的应用设计。凭借其先进的 SJ_Multi-EPI
2025-10-14 11:22 微碧半导体VBsemi 企业号
