AOB414 (VBL1102N)参数说明：N沟道，100V，70A，导通电阻18mΩ@10V，22mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压2V，封装：TO263。应用简介：AOB414适用于高
2023-10-26 16:36 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、2SJ414-VB产品简介2SJ414-VB是一款高性能的P-沟道MOSFET，采用TO-263封装。该器件具有高漏极-源极电压（VDS）、低导通电阻和高电流处理能力，适用于各种要求严格
2024-07-15 14:46 微碧半导体VBsemi 企业号
一、HMC414MS8GE产品描述1.产品特性HMC414MS8G(E) 是一款高效 GaAs InGaP 异质结双极晶体管 (HBT) MMIC 功率放大器，工作频率为 2.2 至 2.8 GHz
2023-11-29 13:24 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
PI3HDX414FCEEX有源驱动开关解决方案针对基于HDMI/DVI标准和TMDS信号处理的高分辨率视频网络。PI3HDX414FCEEX是一个有源单TMDS信道到四个TMDS信道分离器和具有
2022-12-06 11:04 深圳市泰凌微电子有限公司 企业号
MABA-008570-ETC4141:4，磁通耦合Unun，3-110MHzMACOM 的 MABA-008570-ETC414 是一款符合 RoHS 标准的 1:4 射频变压器，采用低成本、表面
2023-01-30 15:48 深圳市鑫琅图科技有限公司 企业号
VBsemi AOD414-VB MOSFET 参数：- 封装：TO252- 沟道类型：N—Channel- 最大电压：30V- 最大电流：100A- RDS(ON)：2mΩ @ VGS=10V
2024-02-03 13:59 微碧半导体VBsemi 企业号
### 产品简介**AOD414L-VB** 是一款高性能单N沟道MOSFET，采用先进的沟槽技术制造，旨在提供低导通电阻和高电流处理能力。其紧凑的TO252封装使其适用于空间受限的应用场合。该器件
2024-12-05 17:15 微碧半导体VBsemi 企业号
HMC414MS8G(E)是一款高效率GaAs InGaP异质结双极性晶体管(HBT) MMIC功率放大器，工作频率范围为2.2至2.8 GHz。 该放大器采用低成本、表面贴装8引脚封装，带有裸露
2022-12-29 13:52 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号
ZVE-373LN-K+ 超宽带放大器详解在高频通信和电子系统中，超宽带放大器的需求日益增加，尤其是在需要处理广泛频率范围的应用中。ZVE-373LN-K+ 超宽带放大器是一款专为满足这些需求而设
2024-11-06 09:02 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
