SSM3K336R-VB 详细参数说明:- 丝印:VB1330- 品牌:VBsemi- 封装:SOT23- 沟道类型:N—Channel- 额定电压:30V- 最大电流:6.5A- 导通电阻:RDS
2024-04-09 11:49 微碧半导体VBsemi 企业号
产品型号: 336P-VB- **品牌:** VBsemi- **参数:** SOT23;P—Channel沟道,-20V;-4A;RDS(ON)=57mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V;Vth
2025-08-09 10:19 微碧半导体VBsemi 企业号
产品型号: 336P-VB- **丝印:** VB2290- **品牌:** VBsemi- **参数:** SOT23;P—Channel沟道,-20V;-4A;RDS(ON)=57mΩ@VGS
2024-03-08 13:46 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:NDS336P-NL-VB丝印:VB2290品牌:VBsemi参数说明:- 沟道类型:P沟道- 额定电压:-20V- 最大电流:-4A- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):57m
2023-12-20 14:52 微碧半导体VBsemi 企业号
型号:FDN336P-NL-VB丝印:VB2290品牌:VBsemi参数说明:- 极性:P沟道- 额定电压:-20V- 最大连续漏极电流:-4A- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):57m
2023-12-15 13:42 微碧半导体VBsemi 企业号
ZVE-373LN-K+ 超宽带放大器详解在高频通信和电子系统中,超宽带放大器的需求日益增加,尤其是在需要处理广泛频率范围的应用中。ZVE-373LN-K+ 超宽带放大器是一款专为满足这些需求而设
2024-11-06 09:02 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### 产品简介(K30S06K3L-VB)K30S06K3L-VB是一款高性能N沟道功率MOSFET,采用TO252封装,设计用于高效电源管理和开关应用。该MOSFET的漏源电压(VDS)为60V
2025-09-30 14:28 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、K10S04K3L产品简介K10S04K3L是一款高性能单N沟道MOSFET,采用TO252封装,专为高效能和高功率的应用而设计。其最大漏源极电压(VDS)为40V,适合用于中低
2025-09-29 11:35 微碧半导体VBsemi 企业号