256路压电变形镜控制器，也称为256路压电变形镜驱动电源，型号为E82.C256K，它是专为驱动压电变形镜而研发设计，就驱动的压电变形镜的类型不同，可驱动的变形镜个数也不相同。 例如，使用
2020-05-19 16:00
MT41K256M16TW-107 IT:P DRAM 芯片 DDR3L SDRAM 4G-Bit 256M x 16 1.35V 96-Pin F-BGA
2021-12-23 14:11 深圳市国宇航芯科技有限公司 企业号
DS1244,DS1244P具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，内置实时时钟
2011-12-19 11:15
DS1330 256k非易失(NV) SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电
2010-10-22 09:00
FM25L256是由RAMTRON生产，以铁电存储介质的256Kb（32K字节）串行3V非易失性存储器，采用SPI总线控制，构成的系统具有简单，占用硬件资源少，存取快速的特点。下面将具体的来说说FM25L
2017-11-04 09:10
DS1230W 3.3V 256k非易失SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM自带锂电池及控制电路，控
2010-11-24 09:53
DS1330W 3.3V、256k NV SRAM为262,144位、全静态非易失SRAM，按照8位、32,768字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路，控制
2010-10-22 09:04
大存储版Redmi K30 5G来了，8GB+ 256GB顶配，到手价2899元，将于2月24日上午10点全网首卖。
2020-02-21 13:39
具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，内置实时时钟。DS1244自带锂电池及控制电路，控制电路连续监视V~CC
2025-02-27 10:10
现在的手机闪存从64G到128G再到256G甚至高的已经到了512G。而现在对于手机容量的需求还是蛮大的，毕竟一些常用的APP也是比较大的，而这个时候8G+256G的手机成为了很多重度用户的首选！
2019-08-27 18:16
