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型号：ZXMN6A<b class='flag-s-7'>25K</b> 品牌：

ZXMN6A25K  产品简介DIODES 的 ZXMN6A25K这款新一代沟槽 MOSFET 具有独特的结构，结合了低导通电阻和快速开关的优点，使其成为高效电源管理应用的理想选择

2023-09-22 20:07 立年电子科技 企业号

型号：AP<b class='flag-s-7'>25N06K</b> 品牌：

供应AP25N06K 耐压60v的mos管可兼容代换CS25N06C4，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP25N06K规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>

2023-10-05 14:25 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：X4C<b class='flag-s-7'>25K</b>1-04S 品牌：

TTM Technologies 的 X4C25K1-04S 是一款定向耦合器，频率为 2.2 至 2.8 GHz，耦合 3.9 dB，耦合变化 ±0.35 dB，平均功率 10 W，插入损耗

2023-08-16 14:45 深圳市聚成恒信电子科技有限公司 企业号

型号：MRFE6VP61<b class='flag-s-7'>K25</b>HSR5 RF MOSFET 晶体管 品牌：

MRFE6VP61K25HSR5 RF MOSFET 晶体管详解产品概述MRFE6VP61K25HSR5 是 NXP Semiconductors 推出的一款高功率 RF MOSFET 晶体管，专为

2024-10-23 11:03 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号

型号：MRFE6VP61<b class='flag-s-7'>K25</b>HR5 品牌：

MRFE6VP61K25HR5内容介绍：       哈喽，朋友们，今天我要向大家介绍的是一款晶体管——MRFE6VP61K25HR5。 它不是喧嚣的，却拥有

2025-10-14 11:16 立年电子科技 企业号

型号：NCE60P<b class='flag-s-7'>25K</b>-VB 品牌：微碧

型号： NCE60P25K-VB丝印： VBE2658品牌：VBsemi参数说明：- 沟道类型：P沟道- 额定电压：-60V- 额定电流：-22A- 导通电阻：48mΩ@10V, 57m

2023-12-13 13:59 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>K8P25</b>DA-VB 品牌：微碧

### 一、K8P25DA-VB 产品简介K8P25DA-VB 是一款采用 TO252 封装的单 N 沟道功率 MOSFET，专为高电压和中等电流应用设计。该器件的漏源击穿电压（VDS）为 250V

2025-10-10 13:58 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>25N95K</b>3-VB 品牌：微碧

### 一、产品简介**型号：25N95K3-VB**VBsemi的25N95K3-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用了SJ_Multi-EPI技术制造。它具有900V的漏源电压、20A

2024-07-10 16:54 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>25N80K</b>5-VB TO220F 品牌：微碧

### 一、25N80K5-VB产品简介25N80K5-VB是VBsemi公司推出的一款单N沟道MOSFET，采用SJ_Multi-EPI技术，适用于高压和中电流的应用。该器件具有低导通电

2024-07-10 16:49 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>K13P25</b>D-VB 品牌：微碧

### K13P25D-VB 产品简介K13P25D-VB是一款高效能N沟道MOSFET，采用TO252封装，专为中压应用设计。它具备250V的漏极-源极电压能力和17A的最大漏极电流，适用于各种

2025-09-29 14:04 微碧半导体VBsemi 企业号