### 产品简介(K30S06K3L-VB)K30S06K3L-VB是一款高性能N沟道功率MOSFET,采用TO252封装,设计用于高效电源管理和开关应用。该MOSFET的漏源电压(VDS)为60V
2025-09-30 14:28 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、K10S04K3L产品简介K10S04K3L是一款高性能单N沟道MOSFET,采用TO252封装,专为高效能和高功率的应用而设计。其最大漏源极电压(VDS)为40V,适合用于中低
2025-09-29 11:35 微碧半导体VBsemi 企业号
ZVE-373LN-K+ 超宽带放大器详解在高频通信和电子系统中,超宽带放大器的需求日益增加,尤其是在需要处理广泛频率范围的应用中。ZVE-373LN-K+ 超宽带放大器是一款专为满足这些需求而设
2024-11-06 09:02 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
### K45S06K3L-VB MOSFET 产品简介:K45S06K3L-VB 是一款高性能的单 N 通道 MOSFET,采用 TO252 封装,专为中低电压应用设计。其漏极到源极电压(VDS
2025-10-09 17:34 微碧半导体VBsemi 企业号
RH-AD128K1:高性能模数转换器的优选方案在电子设计中,模数转换器(ADC)是将模拟信号转换为数字信号的重要组件。RH-AD128K1作为一款高性能模数转换器,凭借其优越的性能和广泛的应用领域
2024-10-13 11:18 深圳市华沣恒霖电子科技有限公司 企业号
以下是对型号K20S06K3L-VB的产品详细说明:### 产品简介K20S06K3L-VB是VBsemi生产的N沟道场效应管。它是一款高性能的功率场效应管,设计用于满足工业、汽车电子、电源管理
2024-06-07 14:59 微碧半导体VBsemi 企业号
### 一、K80S06K3L-VB 产品简介K80S06K3L-VB 是一款采用 TO252 封装的单 N 沟道功率 MOSFET,专为中等电压和高电流应用设计。该器件具有 60V 的漏源击穿电压
2025-10-10 13:55 微碧半导体VBsemi 企业号