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型号：<b class='flag-s-7'>K30S06K</b>3L-VB 品牌：微碧

### 产品简介（K30S06K3L-VB）K30S06K3L-VB是一款高性能N沟道功率MOSFET，采用TO252封装，设计用于高效电源管理和开关应用。该MOSFET的漏源电压（VDS）为60V

2025-09-30 14:28 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>K45S06K</b>3L-VB 品牌：微碧

### K45S06K3L-VB MOSFET 产品简介：K45S06K3L-VB 是一款高性能的单 N 通道 MOSFET，采用 TO252 封装，专为中低电压应用设计。其漏极到源极电压（VDS

2025-10-09 17:34 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>K80S06K</b>3L-VB 品牌：微碧

### 一、K80S06K3L-VB 产品简介K80S06K3L-VB 是一款采用 TO252 封装的单 N 沟道功率 MOSFET，专为中等电压和高电流应用设计。该器件具有 60V 的漏源击穿电压

2025-10-10 13:55 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>K20S06K</b>3L-VB 品牌：微碧

以下是对型号K20S06K3L-VB的产品详细说明：### 产品简介K20S06K3L-VB是VBsemi生产的N沟道场效应管。它是一款高性能的功率场效应管，设计用于满足工业、汽车电子、电源管理

2024-06-07 14:59 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>K3563_06</b>-VB 品牌：微碧

### K3563_06-VB 产品简介K3563_06-VB 是一款高压单N通道MOSFET，采用TO220F封装，专为高电压和中等电流应用设计。其漏极-源极电压高达650V，能够承受最大7A的漏

2025-09-11 17:31 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：AP25N<b class='flag-s-7'>06K</b> 品牌：

供应AP25N06K 耐压60v的mos管可兼容代换CS25N06C4，是ALLPOWER铨力半导体代理商，提供AP25N06K规格参数等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>

2023-10-05 14:25 深圳市骊微电子科技 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>K3407_06</b>-VB 品牌：微碧

### K3407_06-VB 产品简介K3407_06-VB是一款高压单N通道MOSFET，采用TO220F封装，专为高电压和中等电流应用设计。其最大漏源电压（VDS）为650V，适合用于高压电源

2025-09-11 16:56 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>K8S06K</b>3L-VB 品牌：微碧

### 产品简介 - K8S06K3L-VBK8S06K3L-VB是一款高性能的单N沟道MOSFET，采用TO252封装。该器件具备出色的电气特性，最大漏源电压为60V，能够在±20V的栅源电压

2025-10-10 14:01 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>K3569_06</b>-VB 品牌：微碧

### K3569_06-VB 产品简介K3569_06-VB 是一款高电压单极 N 型 MOSFET，采用 TO220F 封装，专为650V的高电压应用设计。该器件具有较低的导通电阻和良好的热管

2025-09-11 17:41 微碧半导体VBsemi 企业号

型号：<b class='flag-s-7'>K2599_06</b>-VB 品牌：微碧

### 一、K2599_06-VB 产品简介K2599_06-VB 是一款高电压单N沟道MOSFET，采用TO220F封装，专为需要高耐压和中等电流的应用而设计。该器件的最大漏源电压（VDS）可达

2025-09-11 09:59 微碧半导体VBsemi 企业号